트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MJ14002G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 60A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,146
MJ15001 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음3,978
MJ15001G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음6,426
MJ15002 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음5,706
MJ15002G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음6,930
MJ15003G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 140V 20A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 2V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음15,798
MJ15004G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 140V 20A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 20A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 250µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 2V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,272
MJ15011G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 10A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,938
MJ15015G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 15A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V 전력-최대: 180W 주파수-전환: 6MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,092
MJ15016G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 120V 15A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V 전력-최대: 115W 주파수-전환: 18MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,154
MJ15022G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 200V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음6,822
MJ15023G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 200V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음17,832
MJ15024G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음12,186
MJ15025G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 500µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음15,396
MJ21193G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음9,528
MJ21194G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,724
MJ21195G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 250V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,676
MJ21196G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 250V 16A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V 전력-최대: 250W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,932
MJ2501 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,020
MJ2955 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 15A TO-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 115W 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음3,168
MJ2955 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 115W 주파수-전환: 2.5MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,740
MJ2955G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V 전력-최대: 115W 주파수-전환: 2.5MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,532
MJ3001 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 80V 10A TO-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음8,676
MJ4032 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 100V 16A TO-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 40mA, 10A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음6,516
MJ4035 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 16A TO-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 16A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 16A 전류-수집기 차단 (최대): 3mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V 전력-최대: 150W 주파수-전환: - 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음6,786
MJ4502G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 100V 30A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음9,864
MJ802 STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 90V 30A TO-3 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: 200°C (TJ) 장착 유형: Chassis Mount 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음2,772
MJ802G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 90V 30A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 2MHz 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음14,616
MJB41C ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음3,330
MJB41CG ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 100V 6A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 700µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB 공급자 장치 패키지: D2PAK	재고 있음15,054

MJ14002G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 60A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,146

MJ15001

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음3,978

MJ15001G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음6,426

MJ15002

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음5,706

MJ15002G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 4A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음6,930

MJ15003G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 140V 20A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 2V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음15,798

MJ15004G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 140V 20A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 20A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 140V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 250µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 5A, 2V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,272

MJ15011G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 10A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 400mA, 4A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 2A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,938

MJ15015G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 15A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
전력-최대: 180W
주파수-전환: 6MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,092

MJ15016G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 120V 15A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 5V @ 7A, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 10 @ 4A, 2V
전력-최대: 115W
주파수-전환: 18MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,154

MJ15022G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 200V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음6,822

MJ15023G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 200V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 200V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음17,832

MJ15024G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음12,186

MJ15025G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 500µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 8A, 4V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음15,396

MJ21193G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음9,528

MJ21194G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,724

MJ21195G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 250V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,676

MJ21196G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 250V 16A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 3.2A, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 8A, 5V
전력-최대: 250W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,932

MJ2501

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 80V 10A TO-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,020

MJ2955

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 15A TO-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 115W
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음3,168

MJ2955

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

THROUGH-HOLE TRANSISTOR-BIPOLAR

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 115W
주파수-전환: 2.5MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,740

MJ2955G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 3.3A, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V
전력-최대: 115W
주파수-전환: 2.5MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,532

MJ3001

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 80V 10A TO-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 50mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음8,676

MJ4032

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 100V 16A TO-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 40mA, 10A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음6,516

MJ4035

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 16A TO-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 16A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 80mA, 16A
전류-수집기 차단 (최대): 3mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 10A, 3V
전력-최대: 150W
주파수-전환: -
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음6,786

MJ4502G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 100V 30A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음9,864

MJ802

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 90V 30A TO-3

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: 200°C (TJ)
장착 유형: Chassis Mount
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음2,772

MJ802G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 90V 30A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 800mV @ 750mA, 7.5A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 25 @ 7.5A, 2V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 2MHz
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음14,616

MJB41C

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음3,330

MJB41CG

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 100V 6A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 600mA, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 700µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지: D2PAK

재고 있음15,054

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