트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
MCH6122-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 3A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음5,382
MCH6122-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 30V 3A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음2,124
MCH6123-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 50V 3A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 390MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음3,924
MCH6124-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 20V 3A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 400MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음6,984
MCH6202-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 500MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads 공급자 장치 패키지: 6-MCPH	재고 있음2,250
MCP718-TP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DFN2020-3 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A 전류-수집기 차단 (최대): 25nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 3-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: DFN2020-3	재고 있음3,436
MD1802FX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V 전력-최대: 57W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음7,326
MD1803DFP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 10A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음4,608
MD1803DFX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V 전력-최대: 57W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음6,102
MD2001FX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 12A ISOWATT218FX 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 12A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V 전력-최대: 58W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음168,216
MD2009DFP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 10A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack	재고 있음7,434
MD2009DFX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 10A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V 전력-최대: 58W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음6,084
MD2103DFP STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 6A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V 전력-최대: 38W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220FP	재고 있음16,644
MD2103DFX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 6A TO-220FP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V 전력-최대: 52W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음6,138
MD2310FX STMicroelectronics	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 700V 14A TO-3PF 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 14A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.75A, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 200µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 7A, 5V 전력-최대: 62W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: ISOWATT218FX 공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX	재고 있음10,068
MJ11012G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음6,744
MJ11015G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 120V 30A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음17,064
MJ11016 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,722
MJ11016G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 30A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 30A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V 전력-최대: 200W 주파수-전환: 4MHz 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음7,380
MJ11021 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음6,444
MJ11021G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,016
MJ11022 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음8,730
MJ11022G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 15A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V 전력-최대: 175W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3 공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)	재고 있음10,608
MJ11028G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 50A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음19,890
MJ11030 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음6,246
MJ11030G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음3,726
MJ11032 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음7,560
MJ11032G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 120V 50A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음34,506
MJ11033G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP DARL 120V 50A TO3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 50A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A 전류-수집기 차단 (최대): 2mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음6,168
MJ14001G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS PNP 60V 60A TO-3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: PNP 전류-수집기 (Ic) (최대): 60A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V 전력-최대: 300W 주파수-전환: - 작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-204AE 공급자 장치 패키지: TO-3	재고 있음2,034

MCH6122-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음5,382

MCH6122-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 30V 3A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 180mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음2,124

MCH6123-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 50V 3A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 50V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 650mV @ 100mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 390MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음3,924

MCH6124-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 20V 3A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 195mV @ 75mA, 1.5A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 400MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음6,984

MCH6202-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1.5A MCPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1.5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 225mV @ 15mA, 750mA
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 500MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지: 6-MCPH

재고 있음2,250

MCP718-TP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DFN2020-3

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 350mV @ 150mA, 2.5A
전류-수집기 차단 (최대): 25nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 3-VDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: DFN2020-3

재고 있음3,436

MD1802FX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.25A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V
전력-최대: 57W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음7,326

MD1803DFP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 10A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음4,608

MD1803DFX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 1.25A, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5.5 @ 5A, 5V
전력-최대: 57W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음6,102

MD2001FX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 12A ISOWATT218FX

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 12A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 1.5A, 6A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 4.5 @ 6A, 5V
전력-최대: 58W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음168,216

MD2009DFP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 10A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220 Full Pack

재고 있음7,434

MD2009DFX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 10A ISOWATT218FX

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 10A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.8V @ 1.4A, 5.5A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 5 @ 5.5A, 5V
전력-최대: 58W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음6,084

MD2103DFP

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 6A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V
전력-최대: 38W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220FP

재고 있음16,644

MD2103DFX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 6A TO-220FP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.8V @ 750mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6.5 @ 3A, 5V
전력-최대: 52W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음6,138

MD2310FX

STMicroelectronics

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 700V 14A TO-3PF

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 14A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 700V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1.75A, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 200µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 6 @ 7A, 5V
전력-최대: 62W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: ISOWATT218FX
공급자 장치 패키지: ISOWATT-218FX

재고 있음10,068

MJ11012G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 30A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음6,744

MJ11015G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 120V 30A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음17,064

MJ11016

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,722

MJ11016G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 30A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 30A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 4V @ 300mA, 30A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 20A, 5V
전력-최대: 200W
주파수-전환: 4MHz
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음7,380

MJ11021

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음6,444

MJ11021G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 250V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,016

MJ11022

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음8,730

MJ11022G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 250V 15A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 15A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 250V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.4V @ 150mA, 15A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 400 @ 10A, 5V
전력-최대: 175W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AA, TO-3
공급자 장치 패키지: TO-204 (TO-3)

재고 있음10,608

MJ11028G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 50A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음19,890

MJ11030

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음6,246

MJ11030G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 90V 50A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 90V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음3,726

MJ11032

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음7,560

MJ11032G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 120V 50A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음34,506

MJ11033G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP DARL 120V 50A TO3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 50A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3.5V @ 500mA, 50A
전류-수집기 차단 (최대): 2mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 25A, 5V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -55°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음6,168

MJ14001G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS PNP 60V 60A TO-3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: PNP
전류-수집기 (Ic) (최대): 60A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 3V @ 12A, 60A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 15 @ 50A, 3V
전력-최대: 300W
주파수-전환: -
작동 온도: -65°C ~ 200°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-204AE
공급자 장치 패키지: TO-3

재고 있음2,034

Send Message

Certifications

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message