트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
KSD363RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음21,372
KSD363Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음4,626
KSD363YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 120V 6A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 6A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V 전력-최대: 40W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,420
KSD401FYTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,634
KSD401G ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,760
KSD401O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,344
KSD401Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,226
KSD401YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 150V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 2A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA 전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 5MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음5,778
KSD471ACGBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,420
KSD471ACGTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,780
KSD471ACYBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,492
KSD471ACYTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,676
KSD471AGBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음6,714
KSD471AGTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음34,752
KSD471AYBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음69,750
KSD471AYTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 800mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,340
KSD5018 ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,762
KSD5018PWD ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음6,840
KSD5018TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1mA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: - 전력-최대: 40W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,856
KSD5041PBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,240
KSD5041PTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음8,046
KSD5041QBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음2,808
KSD5041QTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음7,740
KSD5041RBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음3,942
KSD5041RTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 20V 5A TO-92 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V 전력-최대: 750mW 주파수-전환: 150MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음80,052
KSD526O ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,960
KSD526OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,488
KSD526Y ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음8,964
KSD526YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V 전력-최대: 30W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음3,600
KSD560OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 공급자 장치 패키지: TO-220-3	재고 있음7,128

KSD363RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음21,372

KSD363Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음4,626

KSD363YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 120V 6A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 6A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 120V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 1A, 5V
전력-최대: 40W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,420

KSD401FYTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,634

KSD401G

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,760

KSD401O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,344

KSD401Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,226

KSD401YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 150V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 2A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 150V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA
전류-수집기 차단 (최대): 50µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 400mA, 10V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 5MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음5,778

KSD471ACGBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,420

KSD471ACGTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,780

KSD471ACYBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,492

KSD471ACYTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,676

KSD471AGBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음6,714

KSD471AGTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음34,752

KSD471AYBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음69,750

KSD471AYTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 800mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,340

KSD5018

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,762

KSD5018PWD

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음6,840

KSD5018TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 275V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 275V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 20mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1mA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: -
전력-최대: 40W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,856

KSD5041PBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,240

KSD5041PTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 180 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음8,046

KSD5041QBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음2,808

KSD5041QTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 230 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음7,740

KSD5041RBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음3,942

KSD5041RTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 20V 5A TO-92

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 20V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 100mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 340 @ 500mA, 2V
전력-최대: 750mW
주파수-전환: 150MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음80,052

KSD526O

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,960

KSD526OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,488

KSD526Y

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음8,964

KSD526YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
전력-최대: 30W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음3,600

KSD560OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3
공급자 장치 패키지: TO-220-3

재고 있음7,128

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