트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
KSD1021GBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,726
KSD1021GTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음3,096
KSD1021YBU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음2,556
KSD1021YTA ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 30V 1A TO-92S 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 1A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A 전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V 전력-최대: 350mW 주파수-전환: 130MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body 공급자 장치 패키지: TO-92S	재고 있음4,518
KSD1221GTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음6,858
KSD1221OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음4,248
KSD1221YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 1W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음6,156
KSD1222TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 3A I-PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V 전력-최대: 1W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA 공급자 장치 패키지: I-PAK	재고 있음3,132
KSD1273OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음6,138
KSD1273P ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음8,226
KSD1273PTSTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,572
KSD1273PTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,182
KSD1273Q ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음5,760
KSD1273QTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,808
KSD1273QYDTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 30MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads 공급자 장치 패키지: TO-220F-3 (Y-Forming)	재고 있음2,916
KSD1362RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 70V 5A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V 전력-최대: 20W 주파수-전환: 10MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음5,886
KSD1406GTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음7,830
KSD1406OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,700
KSD1406YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 3MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,250
KSD1408GTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음6,984
KSD1408OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,572
KSD1408-Y-BP Micro Commercial Co	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN TO-220F 제조업체: Micro Commercial Co 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V 전력-최대: 2W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음2,358
KSD1408YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 80V 4A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 4A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V 전력-최대: 25W 주파수-전환: 8MHz 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음14,544
KSD1413TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 40V 3A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 3A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A 전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,536
KSD1417TU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 60V 7A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A 전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,500
KSD1588OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 7A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,824
KSD1588RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 7A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음5,436
KSD1588YTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN 60V 7A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN 전류-수집기 (Ic) (최대): 7A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A 전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V 전력-최대: 2W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음16,968
KSD1589OTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,914
KSD1589RTU ON Semiconductor	트랜지스터-양극 (BJT)-단일 TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - 트랜지스터 유형: NPN - Darlington 전류-수집기 (Ic) (최대): 5A 전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A 전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO) DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V 전력-최대: 1.5W 주파수-전환: - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack 공급자 장치 패키지: TO-220F	재고 있음4,518

KSD1021GBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,726

KSD1021GTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 200 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음3,096

KSD1021YBU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음2,556

KSD1021YTA

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 30V 1A TO-92S

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 1A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 30V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A
전류-수집기 차단 (최대): 100nA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
전력-최대: 350mW
주파수-전환: 130MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 Short Body
공급자 장치 패키지: TO-92S

재고 있음4,518

KSD1221GTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음6,858

KSD1221OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음4,248

KSD1221YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 1W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음6,156

KSD1222TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 3A I-PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1000 @ 3A, 2V
전력-최대: 1W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
공급자 장치 패키지: I-PAK

재고 있음3,132

KSD1273OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 1200 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음6,138

KSD1273P

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음8,226

KSD1273PTSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,572

KSD1273PTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 800 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,182

KSD1273Q

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음5,760

KSD1273QTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,808

KSD1273QYDTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 500 @ 500mA, 4V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 30MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
공급자 장치 패키지: TO-220F-3 (Y-Forming)

재고 있음2,916

KSD1362RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 70V 5A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 70V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V
전력-최대: 20W
주파수-전환: 10MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음5,886

KSD1406GTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음7,830

KSD1406OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 60 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,700

KSD1406YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 3MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,250

KSD1408GTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음6,984

KSD1408OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 70 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,572

KSD1408-Y-BP

Micro Commercial Co

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN TO-220F

제조업체: Micro Commercial Co
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
전력-최대: 2W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음2,358

KSD1408YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 80V 4A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 4A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 80V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 300mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 30µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 120 @ 500mA, 5V
전력-최대: 25W
주파수-전환: 8MHz
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음14,544

KSD1413TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 40V 3A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 3A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 40V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 4mA, 2A
전류-수집기 차단 (최대): 20µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 1A, 2V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,536

KSD1417TU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 60V 7A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 2V @ 14mA, 7A
전류-수집기 차단 (최대): 100µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 3V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,500

KSD1588OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 7A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 80 @ 3A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,824

KSD1588RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 7A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 40 @ 3A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음5,436

KSD1588YTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN 60V 7A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN
전류-수집기 (Ic) (최대): 7A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 60V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 500mV @ 500mA, 5A
전류-수집기 차단 (최대): 10µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 100 @ 3A, 1V
전력-최대: 2W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음16,968

KSD1589OTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 3000 @ 3A, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,914

KSD1589RTU

ON Semiconductor

트랜지스터-양극 (BJT)-단일

TRANS NPN DARL 100V 5A TO-220F

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
트랜지스터 유형: NPN - Darlington
전류-수집기 (Ic) (최대): 5A
전압-수집기 이미 터 고장 (최대): 100V
Vce 포화 (최대) @ Ib, Ic: 1.5V @ 3mA, 3A
전류-수집기 차단 (최대): 1µA (ICBO)
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce: 2000 @ 3A, 2V
전력-최대: 1.5W
주파수-전환: -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack
공급자 장치 패키지: TO-220F

재고 있음4,518

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