트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPP057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 58µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음10,800
IPP057N08N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,700
IPP057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,004
IPP05CN10L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 163nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15600pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,466
IPP05CN10NGXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 181nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,376
IPP05N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,716
IPP05N03LB G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 80A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3209pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,528
IPP060N06NAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 36µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 3W (Ta), 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음18,360
IPP062NE7N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 75V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3840pF @ 37.5V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,148
IPP065N03LGXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 56W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,392
IPP065N04N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 68W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,456
IPP065N06LGAKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 157nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,948
IPP06CN10LGXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11900pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,660
IPP06CN10N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,804
IPP06CN10NGXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,660
IPP06CNE8N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 85V 100A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 85V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 138nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9240pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,060
IPP06N03LA Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 25V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 83W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,304
IPP070N06L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,022
IPP070N06N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 250W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,778
IPP070N08N3 G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 73µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3840pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 136W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,626
IPP072N10N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4910pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,056
IPP072N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4910pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음6,732
IPP075N15N3GHKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,564
IPP075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음13,602
IPP076N12N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 101nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 60V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 188W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,248
IPP076N15N5AKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MV POWER MOS 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,066
IPP07N03LB G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2782pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,834
IPP080N03L G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 47W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,364
IPP080N06N G Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 80A TO-220 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 214W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,508
IPP083N10N5AKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 49µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2730pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음17,052

IPP057N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 58µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음10,800

IPP057N08N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,700

IPP057N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,004

IPP05CN10L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 163nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 15600pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,466

IPP05CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 181nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 12000pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,376

IPP05N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 80A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.9mOhm @ 55A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3110pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,716

IPP05N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 80A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3209pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,528

IPP060N06NAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 17A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Ta), 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.8V @ 36µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 27nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 3W (Ta), 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음18,360

IPP062NE7N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 75V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3840pF @ 37.5V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,148

IPP065N03LGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TO-220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2400pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 56W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,392

IPP065N04N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 50A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 200µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 34nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2800pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 68W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,456

IPP065N06LGAKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 157nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5100pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,948

IPP06CN10LGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 124nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11900pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,660

IPP06CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,804

IPP06CN10NGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 139nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,660

IPP06CNE8N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 85V 100A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 85V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 138nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9240pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,060

IPP06N03LA

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 25V 50A TO-220AB

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 25V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.2mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2653pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 83W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,304

IPP070N06L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 126nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,022

IPP070N06N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 180µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 118nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4100pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 250W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,778

IPP070N08N3 G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 73µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3840pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 136W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,626

IPP072N10N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4910pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,056

IPP072N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 80A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 68nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4910pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음6,732

IPP075N15N3GHKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,564

IPP075N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 100A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5470pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음13,602

IPP076N12N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 100A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.6mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 101nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6640pF @ 60V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 188W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,248

IPP076N15N5AKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MV POWER MOS

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,066

IPP07N03LB G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.6mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2782pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,834

IPP080N03L G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 50A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 50A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 18nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1900pF @ 15V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 47W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,364

IPP080N06N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 80A TO-220

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 214W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-1
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,508

IPP083N10N5AKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 73A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 73A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 49µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2730pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음17,052

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