트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
IPN50R650CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음25,278
IPN50R800CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음23,520
IPN50R950CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음5,742
IPN60R1K0CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음5,940
IPN60R1K5CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음5,778
IPN60R2K1CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음8,478
IPN60R360P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음8,370
IPN60R3K4CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 93pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음22,122
IPN60R600P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음3,312
IPN65R1K5CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 CONSUMER 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ CE FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음7,794
IPN70R1K0CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 750V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음7,668
IPN70R1K2P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 700V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 174pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.3W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음25,728
IPN70R1K4P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 158pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음42,864
IPN70R1K5CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음4,932
IPN70R2K0P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 700V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음2,502
IPN70R2K1CEATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 750V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 163pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: SOT-223-3	재고 있음8,838
IPN70R360P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.4nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 517pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7.2W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음6,804
IPN70R450P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 700V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 120µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 424pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7.1W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음5,526
IPN70R600P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.9W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음8,460
IPN70R750P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 700V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 306pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.7W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음25,320
IPN70R900P7SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 700V 6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 211pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.5W (Tc) 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음4,518
IPN80R1K2P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 800V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.8W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음3,420
IPN80R1K4P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음3,474
IPN80R2K0P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음23,232
IPN80R2K4P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 800V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.3W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음24,840
IPN80R3K3P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 800V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6.1W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음4,608
IPN80R4K5P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 6W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음3,654
IPN80R600P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 800V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7.4W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음5,310
IPN80R750P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLMOS P7 800V SOT-223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7.2W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음27,690
IPN80R900P7ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ P7 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 500V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 7W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-SOT223 패키지 / 케이스: TO-261-3	재고 있음48,516

IPN50R650CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 500V 9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 342pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음25,278

IPN50R800CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 1.5A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음23,520

IPN50R950CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 231pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음5,742

IPN60R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음5,940

IPN60R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음5,778

IPN60R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 600V 3.7A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음8,478

IPN60R360P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 9A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 140µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 555pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음8,370

IPN60R3K4CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 600V 2.6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.6nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 93pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음22,122

IPN60R600P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 600V 6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음3,312

IPN65R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ CE
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음7,794

IPN70R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 750V 7.4A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 750V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음7,668

IPN70R1K2P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 700V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 174pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.3W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음25,728

IPN70R1K4P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 700V 4A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 158pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음42,864

IPN70R1K5CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 700V 5.4A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음4,932

IPN70R2K0P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 700V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음2,502

IPN70R2K1CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 750V 4A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 750V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.1Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 163pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: SOT-223-3

재고 있음8,838

IPN70R360P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 12.5A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 517pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7.2W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음6,804

IPN70R450P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 700V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 2.3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 120µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13.1nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 424pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7.1W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음5,526

IPN70R600P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 8.5A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.9W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음8,460

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 700V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.3nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 306pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.7W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음25,320

IPN70R900P7SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 700V 6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 211pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.5W (Tc)
작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음4,518

IPN80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 800V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.8W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음3,420

IPN80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 4A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음3,474

IPN80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 3A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음23,232

IPN80R2K4P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 800V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.3W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음24,840

IPN80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 800V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6.1W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음4,608

IPN80R4K5P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.5A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 400mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 20µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 80pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 6W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음3,654

IPN80R600P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 800V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 3.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7.4W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음5,310

IPN80R750P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLMOS P7 800V SOT-223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2.7A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 140µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 460pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7.2W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음27,690

IPN80R900P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL 800V 6A SOT223

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™ P7
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 2.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 500V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 7W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-SOT223
패키지 / 케이스: TO-261-3

재고 있음48,516

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