트랜지스터

IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 4A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 700mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 158pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 23W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD70R2K0CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 70µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 163pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD70R360P7SAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 12.5A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.4nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 517pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 59.4W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD70R600CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 0.21mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 22nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 474pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 86W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD70R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 8.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 364pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 43W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD70R900P7SAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 60µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 6.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 211pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30.5W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD70R950CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 7.4A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 68W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD75N04S406ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 75A TO252-3-313

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.9mOhm @ 75A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 26µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2550pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 58W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD78CN10NGATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 716pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD78CN10NGBUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 13A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 12µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 716pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 31W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD800N06NGBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 16A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 80mOhm @ 16A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 16µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 370pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 47W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80N04S306ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 90A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 90A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.2mOhm @ 80A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 52µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3250pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 100W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80N04S306BATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CHANNEL_30/40V

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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IPD80N06S3-09

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 55V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.4mOhm @ 40A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 55µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 88nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6100pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 107W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80P03P4L07ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 80A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 80A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 80A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 80nC @ 10V
• Vgs (최대): +5V, -16V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5700pF @ 25V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 88W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R1K0CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPD80R1K0CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 5.7A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 3.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 250µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 785pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPD80R1K2P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4.5A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 300pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPD80R1K4CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R1K4CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3.9A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 2.3A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 240µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 570pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R1K4P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 4A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 700µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 500V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 32W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R280P7ATMA1

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 17A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 7.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 360µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 36nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1200pF @ 500V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 101W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R2K0P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 3A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 940mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 50µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 175pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 24W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R2K4P7ATMA1

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 2.5A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.5A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 800mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 40µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 7.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 22W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R2K7C3AATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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IPD80R2K8CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 120µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R2K8CEBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8Ohm @ 1.1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.9V @ 120µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 290pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 42W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R360P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 13A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.6A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 280µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 30nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 930pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 84W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPD80R3K3P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.9A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.3Ohm @ 590mA, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 30µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.8nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 120pF @ 500V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 18W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD80R450P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 11A DPAK

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 450mOhm @ 4.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 220µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 24nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 770pF @ 500V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 73W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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