트랜지스터

IPD60R600E6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ E6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R600P6

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R600P6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7.3A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.3A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 557pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R600P7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 6A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R600P7SAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 6A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R600P7SE8228AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ P7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 1.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 80µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 363pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 30W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R650CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R650CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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IPD60R650CEBTMA1

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트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 7A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 650mOhm @ 2.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 82W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R750E6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ E6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 373pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R750E6BTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 5.7A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.7A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 750mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 373pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R800CEATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V TO-252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CE
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 800mOhm @ 2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 170µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 17.2nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 373pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 48W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: TO-252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R800CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

CONSUMER

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: *
• FET 유형: -
• 기술: -
• 드레인-소스 전압 (Vdss): -
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
• Vgs (th) (최대) @ Id: -
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
• Vgs (최대): -
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): -
• 작동 온도: -
• 장착 유형: -
• 공급자 장치 패키지: -
• 패키지 / 케이스: -

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IPD60R950C6

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD60R950C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.4A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 130µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 280pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 37W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD640N06LGBTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 18A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 18A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 16µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 47W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD64CN10N G

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 17A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 17A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 17A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 20µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 569pF @ 50V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 44W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPD650P06NMATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.04mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD650P06NMSAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: OptiMOS™
• FET 유형: P-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 22A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1.04mA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1600pF @ 30V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3-313
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R190C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 13A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 5.7A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 290µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 23nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1150pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 72W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R1K0CEAUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1Ohm @ 1.5A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 200µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15.3nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
• FET 기능: Super Junction
• 전력 손실 (최대): 68W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R1K4C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R1K4CFDATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R1K4CFDATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

LOW POWER_LEGACY

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ CFD2
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 2.8A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 262pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 28.4W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 700V 5.2A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: -
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 700V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5.2A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 100µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 225pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 53W (Tc)
• 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R225C7ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 11A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C7
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 11A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 225mOhm @ 4.8A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 240µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 996pF @ 400V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 63W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R250C6XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 16.1A TO-252

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 400µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 208.3W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

장바구니에 추가장바구니에 업데이트

IPD65R250E6XTMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ E6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 16.1A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 4.4A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 400µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 45nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 950pF @ 1000V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 208W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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IPD65R380C6ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 650V 10.6A TO252-3

• 제조업체: Infineon Technologies
• 시리즈: CoolMOS™ C6
• FET 유형: N-Channel
• 기술: MOSFET (Metal Oxide)
• 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
• 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 10.6A (Tc)
• 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
• Rds On (최대) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 3.2A, 10V
• Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 320µA
• 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 39nC @ 10V
• Vgs (최대): ±20V
• 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 710pF @ 100V
• FET 기능: -
• 전력 손실 (최대): 83W (Tc)
• 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
• 장착 유형: Surface Mount
• 공급자 장치 패키지: PG-TO252-3
• 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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