트랜지스터

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IMW120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,452
IMW120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 289pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음3,042
IMW120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,776
IMZ120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.12nF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음2,844
IMZ120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 5.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.06nF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음5,760
IMZ120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 3.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 707pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음2,322
IMZ120R140M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 2.5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 94W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음8,946
IMZ120R220M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 289pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음6,822
IMZ120R350M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1 패키지 / 케이스: TO-247-4	재고 있음4,986
IPA028N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 89A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 42W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음14,700
IPA029N06NXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 75µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5125pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,884
IPA030N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 79A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 79A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,470
IPA032N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 118µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,816
IPA037N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 155µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8110pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 41W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음12,264
IPA040N06NXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 50µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3375pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,192
IPA041N04NGXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 45µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,016
IPA045N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8410pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음16,764
IPA057N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 58µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,060
IPA057N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음17,028
IPA060N06NXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 36µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,174
IPA075N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7280pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 39W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음9,084
IPA083N10N5XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 49µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2730pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 36W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음12,156
IPA086N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 45A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 75µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 37.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,650
IPA093N06N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 34µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 30V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,724
IPA100N08N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 46µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 35W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음7,308
IPA105N15N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 150V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 37A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 75V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음22,488
IPA126N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 45µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 33W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음8,964
IPA180N10N3GXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 35µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 30W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음6,912
IPA50R140CPXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 930µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 34W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음21,744
IPA50R190CE Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 510µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.2nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1137pF @ 100V FET 기능: Super Junction 전력 손실 (최대): 32W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP 패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack	재고 있음2,718

IMW120R140M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,452

IMW120R220M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 289pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음3,042

IMW120R350M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 455mOhm @ 2A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,776

IMZ120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.12nF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음2,844

IMZ120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.06nF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음5,760

IMZ120R090M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 707pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음2,322

IMZ120R140M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 19A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 6A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 2.5mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 454pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 94W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음8,946

IMZ120R220M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 13A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 4A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 289pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음6,822

IMZ120R350M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4.7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 2A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.3nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 182pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-4-1
패키지 / 케이스: TO-247-4

재고 있음4,986

IPA028N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 89A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 89A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.8mOhm @ 89A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14200pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 42W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음14,700

IPA029N06NXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 84A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 75µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 66nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5125pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,884

IPA030N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 79A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 79A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3mOhm @ 79A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 206nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 14800pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,470

IPA032N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 84A TO220-3-31

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 84A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.2mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 118µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 165nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13000pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,816

IPA037N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 75A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 155µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8110pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 41W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음12,264

IPA040N06NXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 69A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 69A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 50µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 44nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3375pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,192

IPA041N04NGXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 70A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 70A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 45µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 56nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4500pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,016

IPA045N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 64A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 64A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.5mOhm @ 64A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 150µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 117nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 8410pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음16,764

IPA057N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 60A TO220-3-31

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 58µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 82nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6600pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,060

IPA057N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 60A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 60A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 69nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4750pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음17,028

IPA060N06NXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.3V @ 36µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 32nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,174

IPA075N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 43A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 43A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 270µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 93nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7280pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 39W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음9,084

IPA083N10N5XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 45A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 44A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.3mOhm @ 44A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 49µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 37nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2730pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 36W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음12,156

IPA086N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 45A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 45A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8.6mOhm @ 45A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 75µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3980pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 37.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,650

IPA093N06N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 43A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 9.3mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 34µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 48nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 30V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-3-31 Full Pack
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,724

IPA100N08N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 40A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 40A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 40A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 46µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2410pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 35W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음7,308

IPA105N15N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 150V 37A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 150V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 37A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 8V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5mOhm @ 37A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 55nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4300pF @ 75V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음22,488

IPA126N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 35A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 35A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 12.6mOhm @ 35A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 45µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 35nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2500pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 33W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음8,964

IPA180N10N3GXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 28A TO220-FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 28A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 35µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1800pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 30W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음6,912

IPA50R140CPXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 23A TO220-3

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 23A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 930µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 64nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2540pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 34W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음21,744

IPA50R190CE

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 18.5A TO220FP

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 18.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 13V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 190mOhm @ 6.2A, 13V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.5V @ 510µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.2nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1137pF @ 100V
FET 기능: Super Junction
전력 손실 (최대): 32W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO220-FP
패키지 / 케이스: TO-220-3 Full Pack

재고 있음2,718

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