트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
HUFA76645S3S ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음7,668
HUFA76645S3ST ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음4,032
HUFA76645S3ST-F085 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 310W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB) 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	재고 있음5,004
IAUA200N04S5N010AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET_(20V 40V) 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 100µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-5-1 패키지 / 케이스: 5-PowerSFN	재고 있음3,330
IAUC100N10S5L040ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET_(75V 120V( 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,562
IAUC100N10S5N040ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET_(75V 120V( 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음7,884
IAUC120N04S6L008ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V Vgs (최대): ±16V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7910pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음4,086
IAUC120N04S6N009ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 90µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7360pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-33 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN	재고 있음3,960
IAUS165N08S5N029ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6370pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing	재고 있음19,356
IAUS200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing	재고 있음2,250
IAUS240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9264pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing	재고 있음2,988
IAUS300N08S5N012ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 231nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16250pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing	재고 있음2,088
IAUS300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13178pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing	재고 있음6,696
IAUT150N10S5N035ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 100V 150A 3.5MOHM TOLL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 110µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6110pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 166W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음4,590
IAUT165N08S5N029ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6370pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 167W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음7,668
IAUT200N08S5N023ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 80V 200A 2.3MOHM TOLL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 130µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 200W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음6,786
IAUT240N08S5N019ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 160µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9264pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 230W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음5,418
IAUT260N10S5N019ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET_(75V,120V( 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 210µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11830pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음22,458
IAUT300N08S5N012ATMA2 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™ FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 231nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16250pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음7,272
IAUT300N08S5N014ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 80V 300A 1.4MOHM TOLL 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (DC) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 230µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13178pF @ 40V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 300W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음6,156
IAUT300N10S5N015ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET_(75V,120V( 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: OptiMOS™-5 FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 216nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16011pF @ 50V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 375W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음2,034
IGLD60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC GAN FET 600V 60A 8SON 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolGaN™ FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 114W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-LSON-8-1 패키지 / 케이스: 8-LDFN Exposed Pad	재고 있음3,690
IGO60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC GAN FET 600V 60A 20DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolGaN™ FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-20-85 패키지 / 케이스: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)	재고 있음3,582
IGOT60R070D1AUMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC GAN FET 600V 60A 20DSO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolGaN™ FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-DSO-20-87 패키지 / 케이스: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)	재고 있음8,280
IGT60R070D1ATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC GAN FET 600V 60A 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolGaN™ FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-3 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음5,850
IGT60R190D1SATMA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 IC GAN FET 600V 23A 8HSOF 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolGaN™ FET 유형: N-Channel 기술: GaNFET (Gallium Nitride) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 960µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 157pF @ 400V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55.5W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-3 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN	재고 있음2,700
IMW120R030M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.12nF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 227W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,790
IMW120R045M1XKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 15V Vgs (최대): +20V, -10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.9nF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 228W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음6,966
IMW120R060M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 5.6mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.06nF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음4,806
IMW120R090M1HXKSA1 Infineon Technologies	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 COOLSIC MOSFETS 1200V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: CoolSiC™ FET 유형: N-Channel 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 3.7mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 18V Vgs (최대): +23V, -7V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 707pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 115W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음2,394

HUFA76645S3S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음7,668

HUFA76645S3ST

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음4,032

HUFA76645S3ST-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 310W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

재고 있음5,004

IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(20V 40V)

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 100µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-5-1
패키지 / 케이스: 5-PowerSFN

재고 있음3,330

IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V 120V(

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,562

IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V 120V(

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음7,884

IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
Vgs (최대): ±16V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7910pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음4,086

IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 90µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7360pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-33
패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN

재고 있음3,960

IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6370pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing

재고 있음19,356

IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing

재고 있음2,250

IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9264pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing

재고 있음2,988

IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 231nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16250pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing

재고 있음2,088

IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13178pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing

재고 있음6,696

IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

100V 150A 3.5MOHM TOLL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 110µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6110pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 166W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음4,590

IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6370pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 167W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음7,668

IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

80V 200A 2.3MOHM TOLL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 130µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 200W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음6,786

IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 160µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9264pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 230W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음5,418

IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V,120V(

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 210µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11830pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음22,458

IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 231nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16250pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음7,272

IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

80V 300A 1.4MOHM TOLL

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (DC)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 230µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13178pF @ 40V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 300W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음6,156

IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V,120V(

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: OptiMOS™-5
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 216nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16011pF @ 50V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 375W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음2,034

IGLD60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 8SON

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolGaN™
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 114W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-LSON-8-1
패키지 / 케이스: 8-LDFN Exposed Pad

재고 있음3,690

IGO60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolGaN™
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-20-85
패키지 / 케이스: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

재고 있음3,582

IGOT60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolGaN™
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-DSO-20-87
패키지 / 케이스: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)

재고 있음8,280

IGT60R070D1ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolGaN™
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-3
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음5,850

IGT60R190D1SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolGaN™
FET 유형: N-Channel
기술: GaNFET (Gallium Nitride)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 960µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 157pF @ 400V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55.5W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-3
패키지 / 케이스: 8-PowerSFN

재고 있음2,700

IMW120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.12nF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 227W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,790

IMW120R045M1XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 15V
Vgs (최대): +20V, -10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.9nF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 228W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음6,966

IMW120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.06nF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음4,806

IMW120R090M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

제조업체: Infineon Technologies
시리즈: CoolSiC™
FET 유형: N-Channel
기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 18V
Vgs (최대): +23V, -7V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 707pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 115W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음2,394

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