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트랜지스터

기록 64,903
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
HUFA76645S3S
HUFA76645S3S

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: UltraFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±16V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 310W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음7,668
HUFA76645S3ST
HUFA76645S3ST

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: UltraFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±16V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 310W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음4,032
HUFA76645S3ST-F085
HUFA76645S3ST-F085

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 75A D2PAK

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, UltraFET™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 75A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3V @ 250µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 153nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±16V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 4400pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 310W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: D²PAK (TO-263AB)
  • 패키지 / 케이스: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
재고 있음5,004
IAUA200N04S5N010AUMA1
IAUA200N04S5N010AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(20V 40V)

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 100µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 132nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7650pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 167W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-5-1
  • 패키지 / 케이스: 5-PowerSFN
재고 있음3,330
IAUC100N10S5L040ATMA1
IAUC100N10S5L040ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V 120V(

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 167W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,562
IAUC100N10S5N040ATMA1
IAUC100N10S5N040ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V 120V(

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 5200pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 167W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-34
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음7,884
IAUC120N04S6L008ATMA1
IAUC120N04S6L008ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4.5V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±16V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7910pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-33
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음4,086
IAUC120N04S6N009ATMA1
IAUC120N04S6N009ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 40V 120A PG-HSOG-8

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 40V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 120A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 7V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 0.9mOhm @ 60A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.4V @ 90µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 115nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7360pF @ 25V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-TDSON-8-33
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerTDFN
재고 있음3,960
IAUS165N08S5N029ATMA1
IAUS165N08S5N029ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 660A PG-HSOG-8-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6370pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 167W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing
재고 있음19,356
IAUS200N08S5N023ATMA1
IAUS200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 200A PG-HSOG-8-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 130µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing
재고 있음2,250
IAUS240N08S5N019ATMA1
IAUS240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 240A PG-HSOG-8-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 160µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9264pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing
재고 있음2,988
IAUS300N08S5N012ATMA1
IAUS300N08S5N012ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 231nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16250pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 375W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing
재고 있음2,088
IAUS300N08S5N014ATMA1
IAUS300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 300A PG-HSOG-8-1

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q101, OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 230µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13178pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOG-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSMD, Gull Wing
재고 있음6,696
IAUT150N10S5N035ATMA1
IAUT150N10S5N035ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

100V 150A 3.5MOHM TOLL

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 150A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 75A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 110µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 87nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6110pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 166W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음4,590
IAUT165N08S5N029ATMA2
IAUT165N08S5N029ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 165A 80V 120V 8HSOF

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 165A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.9mOhm @ 80A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 108µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 6370pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 167W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음7,668
IAUT200N08S5N023ATMA1
IAUT200N08S5N023ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

80V 200A 2.3MOHM TOLL

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 200A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.3mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 130µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 7670pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 200W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음6,786
IAUT240N08S5N019ATMA1
IAUT240N08S5N019ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 8HSOF

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 240A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 160µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9264pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 230W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음5,418
IAUT260N10S5N019ATMA1
IAUT260N10S5N019ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V,120V(

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 260A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.9mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 210µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 166nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 11830pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음22,458
IAUT300N08S5N012ATMA2
IAUT300N08S5N012ATMA2

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 75V 120V 8HSOF

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.2mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 231nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16250pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 375W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음7,272
IAUT300N08S5N014ATMA1
IAUT300N08S5N014ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

80V 300A 1.4MOHM TOLL

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (DC)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 230µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 187nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 13178pF @ 40V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 300W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음6,156
IAUT300N10S5N015ATMA1
IAUT300N10S5N015ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET_(75V,120V(

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: OptiMOS™-5
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: MOSFET (Metal Oxide)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 6V, 10V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 3.8V @ 275µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 216nC @ 10V
  • Vgs (최대): ±20V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 16011pF @ 50V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 375W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음2,034
IGLD60R070D1AUMA1
IGLD60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 8SON

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolGaN™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 15A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 114W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-LSON-8-1
  • 패키지 / 케이스: 8-LDFN Exposed Pad
재고 있음3,690
IGO60R070D1AUMA1
IGO60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolGaN™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-DSO-20-85
  • 패키지 / 케이스: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
재고 있음3,582
IGOT60R070D1AUMA1
IGOT60R070D1AUMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 20DSO

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolGaN™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-DSO-20-87
  • 패키지 / 케이스: 20-PowerSOIC (0.433", 11.00mm Width)
재고 있음8,280
IGT60R070D1ATMA1
IGT60R070D1ATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 60A 8HSOF

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolGaN™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 2.6mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 380pF @ 400V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 125W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-3
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음5,850
IGT60R190D1SATMA1
IGT60R190D1SATMA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

IC GAN FET 600V 23A 8HSOF

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolGaN™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: GaNFET (Gallium Nitride)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 12.5A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 1.6V @ 960µA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
  • Vgs (최대): -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 157pF @ 400V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 55.5W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 공급자 장치 패키지: PG-HSOF-8-3
  • 패키지 / 케이스: 8-PowerSFN
재고 있음2,700
IMW120R030M1HXKSA1
IMW120R030M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolSiC™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 56A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 25A, 18V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 63nC @ 18V
  • Vgs (최대): +23V, -7V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2.12nF @ 800V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 227W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
재고 있음2,790
IMW120R045M1XKSA1
IMW120R045M1XKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolSiC™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 52A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 20A, 15V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 10mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 52nC @ 15V
  • Vgs (최대): +20V, -10V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.9nF @ 800V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 228W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
재고 있음6,966
IMW120R060M1HXKSA1
IMW120R060M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolSiC™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 36A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 78mOhm @ 13A, 18V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 5.6mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 31nC @ 18V
  • Vgs (최대): +23V, -7V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1.06nF @ 800V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 150W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
재고 있음4,806
IMW120R090M1HXKSA1
IMW120R090M1HXKSA1

Infineon Technologies

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

COOLSIC MOSFETS 1200V

  • 제조업체: Infineon Technologies
  • 시리즈: CoolSiC™
  • FET 유형: N-Channel
  • 기술: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor)
  • 드레인-소스 전압 (Vdss): 1.2kV
  • 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 26A (Tc)
  • 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 15V, 18V
  • Rds On (최대) @ Id, Vgs: 117mOhm @ 8.5A, 18V
  • Vgs (th) (최대) @ Id: 5.7V @ 3.7mA
  • 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 21nC @ 18V
  • Vgs (최대): +23V, -7V
  • 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 707pF @ 800V
  • FET 기능: -
  • 전력 손실 (최대): 115W (Tc)
  • 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • 장착 유형: Through Hole
  • 공급자 장치 패키지: PG-TO247-3-41
  • 패키지 / 케이스: TO-247-3
재고 있음2,394