트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
FQP1P50 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,100
FQP20N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 53W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음16,104
FQP20N06L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 21A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 53W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음20,040
FQP20N06TSTU ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 20A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 53W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,580
FQP22N30 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 21A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 170W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음12,156
FQP22P10 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 100V 22A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 125W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,960
FQP24N08 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 80V 24A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 80V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 75W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,510
FQP27N25 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25.5A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 180W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,212
FQP27P06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 27A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 120W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음60,582
FQP2N30 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 300V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,510
FQP2N40 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음2,196
FQP2N40-F080 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 40W (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음17,100
FQP2N50 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 500V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 55W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,400
FQP2N60 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 64W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,150
FQP2N60C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 600V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 54W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음114,414
FQP2N80 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 800V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음5,616
FQP2N90 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 85W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음11,520
FQP2NA90 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 900V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 107W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음7,038
FQP2P25 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 52W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,600
FQP2P40 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 400V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음3,654
FQP2P40-F080 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 400V 2A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 400V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 63W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음22,860
FQP30N06 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 30A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 945pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음20,376
FQP30N06L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 32A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 79W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음97,866
FQP32N12V2 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 120V 32A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 120V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,316
FQP32N20C ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음230,466
FQP32N20C_F080 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 28A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 156W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,842
FQP33N10 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V Vgs (최대): ±25V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 127W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음23,502
FQP33N10L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 33A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 127W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음8,388
FQP34N20 ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V Vgs (최대): ±30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 180W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음15,888
FQP34N20L ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 31A TO-220 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: QFET® FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 5V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 180W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-220-3 패키지 / 케이스: TO-220-3	재고 있음4,086

FQP1P50

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 500V 1.5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 10.5Ohm @ 750mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,100

FQP20N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 53W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음16,104

FQP20N06L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 21A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 630pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 53W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음20,040

FQP20N06TSTU

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 20A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 20A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 10A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 53W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,580

FQP22N30

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 21A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 21A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 160mOhm @ 10.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 60nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 170W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음12,156

FQP22P10

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 100V 22A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 22A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 50nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 125W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,960

FQP24N08

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 80V 24A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 80V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 12A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 750pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 75W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,510

FQP27N25

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 25.5A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 25.5A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 12.75A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 65nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2450pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 180W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,212

FQP27P06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 27A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 43nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1400pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 120W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음60,582

FQP2N30

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 300V 2.1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 300V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 130pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,510

FQP2N40

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음2,196

FQP2N40-F080

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 400V 1.8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 900mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 150pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 40W (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음17,100

FQP2N50

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 500V 2.1A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 500V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.1A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.3Ohm @ 1.05A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 230pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 55W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,400

FQP2N60

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 2.4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 64W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,150

FQP2N60C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 600V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4.7Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 235pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 54W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음114,414

FQP2N80

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 800V 2.4A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 800V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.3Ohm @ 1.2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 550pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음5,616

FQP2N90

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 2.2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 7.2Ohm @ 1.1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 15nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 85W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음11,520

FQP2NA90

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 900V 2.8A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 900V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.8A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 5.8Ohm @ 1.4A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 680pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 107W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음7,038

FQP2P25

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 250V 2.3A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 4Ohm @ 1.15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 250pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 52W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,600

FQP2P40

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 400V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음3,654

FQP2P40-F080

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 400V 2A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 400V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 350pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 63W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음22,860

FQP30N06

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 30A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 30A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 15A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 25nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 945pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음20,376

FQP30N06L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 32A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 79W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음97,866

FQP32N12V2

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 120V 32A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 120V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 32A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 53nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1860pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,316

FQP32N20C

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 28A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음230,466

FQP32N20C_F080

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 28A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 28A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 82mOhm @ 14A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 110nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 2200pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 156W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,842

FQP33N10

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 51nC @ 10V
Vgs (최대): ±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1500pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 127W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음23,502

FQP33N10L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 33A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 16.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 40nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1630pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 127W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음8,388

FQP34N20

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 31A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 5V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 78nC @ 10V
Vgs (최대): ±30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3100pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 180W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음15,888

FQP34N20L

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 31A TO-220

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: QFET®
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 31A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 72nC @ 5V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 3900pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 180W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-220-3
패키지 / 케이스: TO-220-3

재고 있음4,086

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