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FQP27P06

FQP27P06

참조 용

부품 번호 FQP27P06
PNEDA 부품 번호 FQP27P06
설명 MOSFET P-CH 60V 27A TO-220
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 60,582
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 12 - 6월 17 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FQP27P06 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FQP27P06
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-단일
데이터 시트
FQP27P06, FQP27P06 데이터 시트 (총 페이지: 8, 크기: 905.2 KB)
PDFFQP27P06 데이터 시트 표지
FQP27P06 데이터 시트 페이지 2 FQP27P06 데이터 시트 페이지 3 FQP27P06 데이터 시트 페이지 4 FQP27P06 데이터 시트 페이지 5 FQP27P06 데이터 시트 페이지 6 FQP27P06 데이터 시트 페이지 7 FQP27P06 데이터 시트 페이지 8

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FQP27P06 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈QFET®
FET 유형P-Channel
기술MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)27A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs70mOhm @ 13.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs43nC @ 10V
Vgs (최대)±25V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1400pF @ 25V
FET 기능-
전력 손실 (최대)120W (Tc)
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
공급자 장치 패키지TO-220-3
패키지 / 케이스TO-220-3

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제조업체

Toshiba Semiconductor and Storage

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

120V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

72A (Ta)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4.4mOhm @ 36A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

130nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

8100pF @ 60V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

255W (Tc)

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

공급자 장치 패키지

TO-220-3

패키지 / 케이스

TO-220-3

SI3440ADV-T1-GE3

Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

TrenchFET®

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

150V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.2A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

7.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

380mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

80pF @ 75V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

3.6W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

6-TSOP

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

NTMFS4927NT3G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.9A (Ta), 38A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

4.5V, 10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

7.3mOhm @ 30A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

913pF @ 15V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

920mW (Ta), 20.8W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

5-DFN (5x6) (8-SOFL)

패키지 / 케이스

8-PowerTDFN, 5 Leads

IPD60R280P7ATMA1

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

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FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

600V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

280mOhm @ 3.8A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 190µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

761pF @ 400V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

53W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

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Vishay Siliconix

제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

-

FET 유형

N-Channel

기술

MOSFET (Metal Oxide)

드레인-소스 전압 (Vdss)

100V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.3A (Tc)

드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On)

10V

Rds On (최대) @ Id, Vgs

540mOhm @ 2.6A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

8.3nC @ 10V

Vgs (최대)

±20V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

FET 기능

-

전력 손실 (최대)

2.5W (Ta), 25W (Tc)

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

공급자 장치 패키지

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패키지 / 케이스

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

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