트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CPH3457-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음22,230
CPH3459-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 250mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음26,460
CPH3461-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 170mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음6,678
CPH3461-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 250V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 170mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음903
CPH3462-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 100V 1A CPH3 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 100V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 785mOhm @ 1A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 3-CPH 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	재고 있음7,056
CPH5871-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: Schottky Diode (Isolated) 전력 손실 (최대): 900mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 5-CPH 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753	재고 있음7,686
CPH6337-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,524
CPH6337-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V Vgs (최대): ±10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,652
CPH6341-M-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음3,150
CPH6341-M-TL-EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,370
CPH6341-M-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음8,334
CPH6341-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,808
CPH6341-TL-EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 30V 5A 6-CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,212
CPH6341-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 5A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음47,922
CPH6347-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,212
CPH6347-TL-HX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CHANNEL 20V 6A 6-CPH 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음7,452
CPH6347-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V Vgs (최대): ±12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음43,110
CPH6350-P-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: * FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음6,192
CPH6350-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,736
CPH6350-TL-EX ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 INTEGRATED CIRCUIT 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: - 장착 유형: - 공급자 장치 패키지: - 패키지 / 케이스: -	재고 있음2,088
CPH6350-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음307,704
CPH6354-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,050
CPH6354-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 60V 4A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음291,036
CPH6355-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 169mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음4,626
CPH6355-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 3A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 169mOhm @ 1.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음5,040
CPH6442-TL-E ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,430
CPH6442-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 60V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음2,736
CPH6443-P-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: - 기술: - 드레인-소스 전압 (Vdss): - 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): - 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): - Rds On (최대) @ Id, Vgs: - Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: - Vgs (최대): - 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: - FET 기능: - 전력 손실 (최대): - 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음8,118
CPH6443-TL-H ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: - 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,822
CPH6443-TL-W ON Semiconductor	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 35V 6A CPH6 제조업체: ON Semiconductor 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 35V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V Vgs (최대): ±20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.6W (Ta) 작동 온도: 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: 6-CPH 패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6	재고 있음6,822

CPH3457-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 95mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 265pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음22,230

CPH3459-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 200V 0.5A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 500mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3.7Ohm @ 250mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 90pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음26,460

CPH3461-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 170mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음6,678

CPH3461-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 250V 0.35A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 250V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 350mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 6.5Ohm @ 170mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.3V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.1nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 140pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음903

CPH3462-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 100V 1A CPH3

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 100V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 785mOhm @ 1A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.4nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 155pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 3-CPH
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

재고 있음7,056

CPH5871-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.5A CPH5

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 4.7nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: Schottky Diode (Isolated)
전력 손실 (최대): 900mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 125°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 5-CPH
패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753

재고 있음7,686

CPH6337-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,524

CPH6337-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 12V 3.5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 12V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 1.5A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 5.6nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 405pF @ 6V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,652

CPH6341-M-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음3,150

CPH6341-M-TL-EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,370

CPH6341-M-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음8,334

CPH6341-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,808

CPH6341-TL-EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 30V 5A 6-CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,212

CPH6341-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 5A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 5A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 59mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 430pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음47,922

CPH6347-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,212

CPH6347-TL-HX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CHANNEL 20V 6A 6-CPH

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음7,452

CPH6347-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 3A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): ±12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 860pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음43,110

CPH6350-P-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: *
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음6,192

CPH6350-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,736

CPH6350-TL-EX

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

INTEGRATED CIRCUIT

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: -
장착 유형: -
공급자 장치 패키지: -
패키지 / 케이스: -

재고 있음2,088

CPH6350-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음307,704

CPH6354-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 4A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,050

CPH6354-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 60V 4A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 600pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음291,036

CPH6355-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 169mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음4,626

CPH6355-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 3A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 169mOhm @ 1.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.9nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 172pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음5,040

CPH6442-TL-E

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,430

CPH6442-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 60V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 43mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 20nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1040pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음2,736

CPH6443-P-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: -
기술: -
드레인-소스 전압 (Vdss): -
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): -
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): -
Rds On (최대) @ Id, Vgs: -
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: -
Vgs (최대): -
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: -
FET 기능: -
전력 손실 (최대): -
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음8,118

CPH6443-TL-H

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: -
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,822

CPH6443-TL-W

ON Semiconductor

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 35V 6A CPH6

제조업체: ON Semiconductor
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 35V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 4V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 3A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2.6V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 10V
Vgs (최대): ±20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 470pF @ 20V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.6W (Ta)
작동 온도: 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: 6-CPH
패키지 / 케이스: SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

재고 있음6,822

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