트랜지스터

부품 번호	설명	재고 있음
CDM4-600LR TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4A 600V DPAK 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.59nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 38W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음2,556
CDM4-650 TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 4A 650V DPAK 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 463pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 620mW (Ta), 77W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음7,542
CDM7-600LR TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 7A 600V DPAK 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 600V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 60W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음6,768
CDM7-650 TR13 Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 7A 650V DPAK 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 650V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V Vgs (최대): 30V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 754pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 1.12W (Ta), 140W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: DPAK 패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	재고 있음5,868
CEDM7001 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음6,624
CEDM7001 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음2,412
CEDM7001VL TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883VL 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음3,454
CEDM7002AE TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 60V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V Vgs (최대): 20V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883L 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음91,944
CEDM7004 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.78A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음8,388
CEDM7004 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.78A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음4,014
CEDM7004VL TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883VL 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음6,948
CEDM8001 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음7,020
CEDM8001 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음6,120
CEDM8001VL TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V Vgs (최대): 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883VL 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음75,564
CEDM8004 BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음2,214
CEDM8004 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883VL 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음6,480
CEDM8004VL TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 100mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-883VL 패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883	재고 있음7,326
CMF10120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 24A TO247 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 500µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.1nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 928pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 134W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음5,346
CMF20120D Cree/Wolfspeed	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3 제조업체: Cree/Wolfspeed 시리즈: Z-FET™ FET 유형: N-Channel 기술: SiCFET (Silicon Carbide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.8nC @ 20V Vgs (최대): +25V, -5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1915pF @ 800V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 215W (Tc) 작동 온도: -55°C ~ 135°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 공급자 장치 패키지: TO-247-3 패키지 / 케이스: TO-247-3	재고 있음7,776
CMLDM7120G TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 1A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-563 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음3,402
CMLDM8120G TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-563 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음4,950
CMLDM8120 TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V Vgs (최대): 8V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 150mW (Ta) 작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-563 패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666	재고 있음4,878
CMPDM202PH BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음7,344
CMPDM202PH TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음8,226
CMPDM203NH BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음8,640
CMPDM203NH TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,258
CMPDM302PH BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,312
CMPDM302PH TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: P-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음7,272
CMPDM303NH BK Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음2,646
CMPDM303NH TR Central Semiconductor Corp	트랜지스터-FET, MOSFET-단일 MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F 제조업체: Central Semiconductor Corp 시리즈: - FET 유형: N-Channel 기술: MOSFET (Metal Oxide) 드레인-소스 전압 (Vdss): 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta) 드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V Vgs (최대): 12V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V FET 기능: - 전력 손실 (최대): 350mW (Ta) 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 공급자 장치 패키지: SOT-23F 패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads	재고 있음3,924

CDM4-600LR TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4A 600V DPAK

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 950mOhm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.59nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 328pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 38W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음2,556

CDM4-650 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 4A 650V DPAK

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 2.7Ohm @ 2A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 11.4nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 463pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 620mW (Ta), 77W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음7,542

CDM7-600LR TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 7A 600V DPAK

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 600V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 580mOhm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 14.5nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 440pF @ 100V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 60W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음6,768

CDM7-650 TR13

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 7A 650V DPAK

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 650V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 7A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 3.5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 16.8nC @ 10V
Vgs (최대): 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 754pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 1.12W (Ta), 140W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: DPAK
패키지 / 케이스: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

재고 있음5,868

CEDM7001 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음6,624

CEDM7001 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT-883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음2,412

CEDM7001VL TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 0.1A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 3Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 900mV @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.57nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 9pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883VL
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음3,454

CEDM7002AE TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET NCH 60V 0.3A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 300mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 10V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 500mA, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id: 2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.5nC @ 4.5V
Vgs (최대): 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 50pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883L
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음91,944

CEDM7004 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 1.78A SOT-883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.78A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음8,388

CEDM7004 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 8.0V 3.56A SOT-883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1.78A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음4,014

CEDM7004VL TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 0.45A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 460mOhm @ 200mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.79nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 43pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883VL
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음6,948

CEDM8001 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음7,020

CEDM8001 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT-883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음6,120

CEDM8001VL TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.1A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 100mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 8Ohm @ 10mA, 4V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.66nC @ 4.5V
Vgs (최대): 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 45pF @ 3V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883VL
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음75,564

CEDM8004 BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음2,214

CEDM8004 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883VL
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음6,480

CEDM8004VL TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 0.45A SOT883

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 450mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 1.1Ohm @ 430mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 0.88nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 55pF @ 25V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 100mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-883VL
패키지 / 케이스: SC-101, SOT-883

재고 있음7,326

CMF10120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 24A TO247

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 24A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 500µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 47.1nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 928pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 134W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음5,346

CMF20120D

Cree/Wolfspeed

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 1200V 42A TO-247-3

제조업체: Cree/Wolfspeed
시리즈: Z-FET™
FET 유형: N-Channel
기술: SiCFET (Silicon Carbide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 1200V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 42A (Tc)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 20V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 20A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id: 4V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 90.8nC @ 20V
Vgs (최대): +25V, -5V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 1915pF @ 800V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 215W (Tc)
작동 온도: -55°C ~ 135°C (TJ)
장착 유형: Through Hole
공급자 장치 패키지: TO-247-3
패키지 / 케이스: TO-247-3

재고 있음7,776

CMLDM7120G TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 1A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 1A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.5V, 4V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 500mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 1mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 2.4nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 220pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-563
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음3,402

CMLDM8120G TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-563
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음4,950

CMLDM8120 TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 0.86A SOT563

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 860mA (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 1.8V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 3.56nC @ 4.5V
Vgs (최대): 8V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 200pF @ 16V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 150mW (Ta)
작동 온도: -65°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-563
패키지 / 케이스: SOT-563, SOT-666

재고 있음4,878

CMPDM202PH BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음7,344

CMPDM202PH TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.3A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 88mOhm @ 1.2A, 5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 12nC @ 5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음8,226

CMPDM203NH BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음8,640

CMPDM203NH TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 20V 3.2A SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 20V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.2A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 1.6A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 10nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 395pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,258

CMPDM302PH BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,312

CMPDM302PH TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET P-CH 30V 2.4A SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: P-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 2.4A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 91mOhm @ 1.2A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.4V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 9.6nC @ 5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 800pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음7,272

CMPDM303NH BK

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음2,646

CMPDM303NH TR

Central Semiconductor Corp

트랜지스터-FET, MOSFET-단일

MOSFET N-CH 30V 3.6A SOT-23F

제조업체: Central Semiconductor Corp
시리즈: -
FET 유형: N-Channel
기술: MOSFET (Metal Oxide)
드레인-소스 전압 (Vdss): 30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id): 3.6A (Ta)
드라이브 전압 (최대 Rds On, 최소 Rds On): 2.5V, 4.5V
Rds On (최대) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 1.8A, 4.5V
Vgs (th) (최대) @ Id: 1.2V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs: 13nC @ 4.5V
Vgs (최대): 12V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds: 590pF @ 10V
FET 기능: -
전력 손실 (최대): 350mW (Ta)
작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형: Surface Mount
공급자 장치 패키지: SOT-23F
패키지 / 케이스: SOT-23-3 Flat Leads

재고 있음3,924

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