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PMIC-전압 조정기-선형 조정기 컨트롤러 (207)
PMIC-전압 조정기-특수 목적 (3,917)
파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
TC4424VOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,896
TC4424VPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,694
TC4425AVMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음10,380
TC4425AVMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,204
TC4425AVOA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,644
TC4425AVOA713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,362
TC4425AVOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음5,706
TC4425AVOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,012
TC4425AVPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,910
TC4425COE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,438
TC4425COE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,218
TC4425CPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,236
TC4425EMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음5,958
TC4425EMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,420
TC4425EOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,506
TC4425EOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,600
TC4425EPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,934
TC4425MJA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-CERDIP	재고 있음6,840
TC4425VMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음7,632
TC4425VMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,708
TC4425VOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,852
TC4425VOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,462
TC4425VPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음7,074
TC4426ACOA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,460
TC4426ACOA713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,942
TC4426ACPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8-DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음17,748
TC4426AEMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,744
TC4426AEMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음5,256
TC4426AEOA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음15,252
TC4426AEOA713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 1.5A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 25ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음25,050

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