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부품 번호	설명	재고 있음
TC4423EOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,244
TC4423EOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,014
TC4423EPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음2,394
TC4423MJA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-CERDIP	재고 있음1,812
TC4423VMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음4,734
TC4423VMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음5,724
TC4423VOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음6,264
TC4423VOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음3,618
TC4423VPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,756
TC4424AVMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음7,896
TC4424AVMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음3,456
TC4424AVMF713-VAO Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 3AMP DUAL MOSFET DRIVERS 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (4.92x5.99)	재고 있음8,460
TC4424AVMF-VAO Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 3AMP DUAL MOSFET DRIVERS 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (4.92x5.99)	재고 있음8,838
TC4424AVOA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음17,796
TC4424AVOA713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,924
TC4424AVOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,358
TC4424AVOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음4,734
TC4424AVPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 4.5A, 4.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 12ns, 12ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,964
TC4424COE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음9,192
TC4424COE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음11,851
TC4424CPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: 0°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음53,754
TC4424EMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음8,208
TC4424EMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음7,146
TC4424EOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음2,952
TC4424EOE713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16-SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음8,226
TC4424EPA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-DIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,376
TC4424MJA Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8-CDIP 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-CDIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-CERDIP	재고 있음5,508
TC4424VMF Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음5,814
TC4424VMF713 Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 8DFN 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-VDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 8-DFN-S (6x5)	재고 있음6,498
TC4424VOE Microchip Technology	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET DVR 3A DUAL HS 16SOIC 제조업체: Microchip Technology 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: N-Channel, P-Channel MOSFET 전압-공급: 4.5V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 23ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 16-SOIC	재고 있음7,092

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