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기록 194,611
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
LM5111-3MYX
LM5111-3MYX

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8MSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 5A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad
재고 있음8,766
LM5111-3MYX/NOPB
LM5111-3MYX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8MSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 5A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad
재고 있음7,704
LM5111-4M/NOPB
LM5111-4M/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-SOIC

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 5A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음21,180
LM5111-4MX/NOPB
LM5111-4MX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRIVER DUAL MOS 5A 8SOIC

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 5A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음7,704
LM5111-4MY/NOPB
LM5111-4MY/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET DRIVER DUAL 5A 8-EMSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 5A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-EP
재고 있음3,762
LM5111-4MYX/NOPB
LM5111-4MYX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DVR DUAL MOS 5A 8-EMSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 5A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-EP
재고 있음2,250
LM5112MY
LM5112MY

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad
재고 있음6,444
LM5112MY/NOPB
LM5112MY/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad
재고 있음30,684
LM5112MYX
LM5112MYX

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad
재고 있음3,598
LM5112MYX/NOPB
LM5112MYX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-MSOP-PowerPad
재고 있음8,532
LM5112Q1SD/NOPB
LM5112Q1SD/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음7,974
LM5112Q1SDX/NOPB
LM5112Q1SDX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음3,942
LM5112SD
LM5112SD

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음7,164
LM5112SD/NOPB
LM5112SD/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음608,826
LM5112SDX
LM5112SDX

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음2,772
LM5112SDX/NOPB
LM5112SDX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DVR TINY 7A 6WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 3.5V ~ 14V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 3A, 7A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 14ns, 12ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음168,756
LM5113QDPRRQ1
LM5113QDPRRQ1

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC HALF-BRIDGE GATE DRVR 10WSON

  • 제조업체:
  • 시리즈: Automotive, AEC-Q100
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 5A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 3.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-WSON (4x4)
재고 있음8,028
LM5113SDE/NOPB
LM5113SDE/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRIVER HALF BRIDGE 10SON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 1.76V, 1.89V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 5A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 107V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 1.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-WSON (4x4)
재고 있음22,980
LM5113SD/NOPB
LM5113SD/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DVR HALF BRIDGE 4A 10SON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 1.76V, 1.89V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 5A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 107V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 1.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-WSON (4x4)
재고 있음20,430
LM5113SDX/NOPB
LM5113SDX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DVR HALF BRIDGE 5A 10SON

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 1.76V, 1.89V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 5A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 107V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 1.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 10-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 10-WSON (4x4)
재고 있음5,760
LM5113TME/NOPB
LM5113TME/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 1.76V, 1.89V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 5A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 107V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 1.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-WFBGA, DSBGA
  • 공급자 장치 패키지: 12-DSBGA
재고 있음344,070
LM5113TMX/NOPB
LM5113TMX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRVR HALF BRDG 5A 12SMD

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Half-Bridge
  • 채널 유형: Independent
  • 드라이버 수: 2
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 1.76V, 1.89V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.2A, 5A
  • 입력 유형: Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 107V
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 7ns, 1.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 12-WFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 12-µSMD (1.74x1.87)
재고 있음5,022
LM5114AMF/NOPB
LM5114AMF/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRVR 7.6A LSIDE SOT23-6

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-6
재고 있음14,322
LM5114AMF/S7003109
LM5114AMF/S7003109

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DVR 7.6A LOSIDE SOT23-6

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-6
재고 있음2,970
LM5114AMFX/NOPB
LM5114AMFX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRVR 7.6A LSIDE SOT23-6

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-6
재고 있음8,334
LM5114AMFX/S7003103
LM5114AMFX/S7003103

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRVR 7.6A LSIDE SOT23-6

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-6
재고 있음8,460
LM5114ASD/NOPB
LM5114ASD/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DVR 7.6A LOW SIDE 6WQFN

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음6,066
LM5114ASDX/NOPB
LM5114ASDX/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DRVR 7.6A LSIDE 6WQFN

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: -
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 6-WSON (3x3)
재고 있음6,840
LM5114BMF/NOPB
LM5114BMF/NOPB

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC MOSFET GATE DVR 7.6A SOT23-6

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-6
재고 있음98,555
LM5114BMF/S7003094
LM5114BMF/S7003094

Texas Instruments

PMIC-게이트 드라이버

IC GATE DVR 7.6A LOSIDE SOT23-6

  • 제조업체:
  • 시리즈: -
  • 구동 구성: Low-Side
  • 채널 유형: Single
  • 드라이버 수: 1
  • 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET
  • 전압-공급: 4V ~ 12.6V
  • 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.4V
  • 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.3A, 7.6A
  • 입력 유형: Inverting, Non-Inverting
  • 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): -
  • 상승 / 하강 시간 (일반): 82ns, 12.5ns
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: SOT-23-6
  • 공급자 장치 패키지: SOT-23-6
재고 있음7,128