LM5112MY
참조 용
| 부품 번호 | LM5112MY |
| PNEDA 부품 번호 | LM5112MY |
| 설명 | IC MOSFET GATE DRIVER 7A 8MSOP |
| 제조업체 | Texas Instruments |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,444 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 19 - 7월 24 (신속 배송 선택) |
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LM5112MY 리소스
| 브랜드 | Texas Instruments |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | LM5112MY |
| 분류 | 반도체 › 전력 관리 IC › PMIC-게이트 드라이버 |
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LM5112MY 사양
| 제조업체 | |
| 시리즈 | - |
| 구동 구성 | Low-Side |
| 채널 유형 | Single |
| 드라이버 수 | 1 |
| 게이트 유형 | N-Channel MOSFET |
| 전압-공급 | 3.5V ~ 14V |
| 논리 전압-VIL, VIH | 0.8V, 2.3V |
| 전류-피크 출력 (소스, 싱크) | 3A, 7A |
| 입력 유형 | Inverting, Non-Inverting |
| 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) | - |
| 상승 / 하강 시간 (일반) | 14ns, 12ns |
| 작동 온도 | -40°C ~ 125°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) Exposed Pad |
| 공급자 장치 패키지 | 8-MSOP-PowerPad |
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 - 채널 유형 - 드라이버 수 - 게이트 유형 - 전압-공급 - 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 - 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 - 장착 유형 - 패키지 / 케이스 - 공급자 장치 패키지 - |
제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 구동 구성 Half-Bridge 채널 유형 3-Phase 드라이버 수 6 게이트 유형 IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급 11.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH 0.8V, 3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크) 200mA, 350mA 입력 유형 Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) 600V 상승 / 하강 시간 (일반) 125ns, 50ns 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58) |
제조업체 Linear Technology/Analog Devices 시리즈 - 구동 구성 High-Side 채널 유형 Independent 드라이버 수 3 게이트 유형 N-Channel MOSFET 전압-공급 1.8V ~ 6V 논리 전압-VIL, VIH - 전류-피크 출력 (소스, 싱크) - 입력 유형 Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩) - 상승 / 하강 시간 (일반) - 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Through Hole 패키지 / 케이스 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지 8-PDIP |
