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부품 번호	설명	재고 있음
IR44273LTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR LOW SIDE SOT23-5 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: µHVIC™ 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.6V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.5A, 1.5A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 10ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SC-74A, SOT-753 공급자 장치 패키지: SOT-23-5	재고 있음3,240
IR4427PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음19,998
IR4427S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,814
IR4427SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음16,056
IR4427STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,218
IR4427STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음127,225
IR4428 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음5,076
IR4428S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음5,472
IR4428STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음8,316
IR4428STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER DUAL LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,232
IR7106SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET IGBT 20V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: - 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 700V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,636
IR7106STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 700V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,596
IR7184SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET IGBT 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 700V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SO	재고 있음2,862
IR7184STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 1.9A, 2.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 700V 상승 / 하강 시간 (일반): 40ns, 20ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,816
IR7304SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET IGBT 20V 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 700V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,088
IR7304STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 700V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음7,740
IRS10752LTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRIVER 1CH 100V SOT23 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: µHVIC™ 구동 구성: High-Side 채널 유형: Single 드라이버 수: 1 게이트 유형: N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 18V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 160mA, 240mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 100V 상승 / 하강 시간 (일반): 85ns, 40ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SOT-23-6 공급자 장치 패키지: SOT-23-6	재고 있음1
IRS2001MPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-MLPQ (4x4)	재고 있음2,448
IRS2001MTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 16-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 16-MLPQ (4x4)	재고 있음3,258
IRS2001PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음14,568
IRS2001SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,808
IRS2001STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HI/LO SIDE 200V 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음6,246
IRS2003PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,766
IRS2003SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음27,618
IRS2003STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음23,424
IRS2004PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음25,134
IRS2004SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 200V 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음14,460
IRS2004STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 35ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음52,332
IRS2005MTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 14MLPQ 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 30ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 14-VFQFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 14-MLPQ (4x4)	재고 있음51,354
IRS2005SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.5V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 290mA, 600mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 200V 상승 / 하강 시간 (일반): 70ns, 30ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음20,778

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