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파워 드라이버 모듈 (809)

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부품 번호	설명	재고 있음
IR2235 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음6,984
IR2235J Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음8,892
IR2235JPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음2,718
IR2235JTR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 44-PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음8,370
IR2235JTRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 44PLCC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 44-LCC (J-Lead), 32 Leads 공급자 장치 패키지: 44-PLCC, 32 Leads (16.58x16.58)	재고 있음3,564
IR2235PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 28-DIP (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 28-PDIP	재고 있음22,272
IR2235S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음8,460
IR2235SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER 3-PHASE BRIDGE 28-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음2,100
IR2235STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER BRIDGE 3PHASE 28SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 250mA, 500mA 입력 유형: Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 90ns, 40ns 작동 온도: 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) 공급자 장치 패키지: 28-SOIC	재고 있음4,878
IR22381QPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC IGBT DRIVER 3PHASE 64-MQFP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: 3-Phase 드라이버 수: 6 게이트 유형: IGBT 전압-공급: 12.5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 350mA, 540mA 입력 유형: Inverting, Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 1200V 상승 / 하강 시간 (일반): 80ns, 25ns 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 64-BQFP 공급자 장치 패키지: 64-MQFP (20x14)	견적 요청
IR2301 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,084
IR2301PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,262
IR2301SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음20,112
IR2301STR Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,410
IR2301STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음65,676
IR2302 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,588
IR2302PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음16,200
IR2302S Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,978
IR2302SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음71,304
IR2302STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR HALF BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Synchronous 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 5V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 130ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음3,834
IR2304 Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음4,176
IR2304PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF-BRIDGE 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음24,768
IR2304SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음16,590
IR2304STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DVR HALF BRIDGE 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.3V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 60mA, 130mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 200ns, 100ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음24,186
IR2308PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET/IGBT DVR HV HS 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음8,016
IR2308SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DRIVER HALF BRIDGE HV 8SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음23,364
IR2308STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC MOSFET/IGBT DVR HV HS 8-SOIC 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Half-Bridge 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 10V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.9V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 200mA, 350mA 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): 600V 상승 / 하강 시간 (일반): 150ns, 50ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음4,410
IR25600PBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL MOSFET IGBT 8-DIP 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 8-DIP (0.300", 7.62mm) 공급자 장치 패키지: 8-PDIP	재고 있음6,138
IR25600SPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL MOSFET IGBT 8SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음30,678
IR25600STRPBF Infineon Technologies	PMIC-게이트 드라이버 IC DUAL MOSFET IGBT 8SO 제조업체: Infineon Technologies 시리즈: - 구동 구성: Low-Side 채널 유형: Independent 드라이버 수: 2 게이트 유형: IGBT, N-Channel MOSFET 전압-공급: 6V ~ 20V 논리 전압-VIL, VIH: 0.8V, 2.7V 전류-피크 출력 (소스, 싱크): 2.3A, 3.3A 입력 유형: Non-Inverting 높은 측 전압-최대 (부트 스트랩): - 상승 / 하강 시간 (일반): 15ns, 10ns 작동 온도: -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지: 8-SOIC	재고 있음2,106

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