메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS46TR16128A-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,730
IS46TR16128A-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,420
IS46TR16128A-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,472
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IS46TR16128A-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,016
IS46TR16128A-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,600
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IS46TR16128AL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,110
IS46TR16128AL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,788
IS46TR16128AL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,568
IS46TR16128AL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,394
IS46TR16128AL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,662
IS46TR16128AL-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,200
IS46TR16128B-125KBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음5,688
IS46TR16128B-125KBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,700
IS46TR16128B-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음3,042
IS46TR16128B-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음4,608
IS46TR16128B-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음902
IS46TR16128B-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,100
IS46TR16128B-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,588
IS46TR16128B-15HBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.425V ~ 1.575V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음6,768
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IS46TR16128BL-125KBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,812
IS46TR16128BL-125KBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 800MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,352
IS46TR16128BL-15HBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음8,244
IS46TR16128BL-15HBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음7,092
IS46TR16128BL-15HBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR3L 메모리 크기: 2Gb (128M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 667MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 20ns 전압-공급: 1.283V ~ 1.45V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 96-TFBGA 공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)	재고 있음2,016

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음8,730

IS46TR16128A-125KBLA2

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음3,420

IS46TR16128A-125KBLA2-TR

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 800MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음3,472

IS46TR16128A-15HBLA1

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 20ns
전압-공급: 1.425V ~ 1.575V
작동 온도: -40°C ~ 95°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
공급자 장치 패키지: 96-TWBGA (9x13)

재고 있음8,730

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
메모리 크기: 2Gb (128M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 667MHz
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 96-TFBGA
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재고 있음2,016

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IC DRAM 2G PARALLEL 96TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
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재고 있음3,600

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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
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메모리 포맷: DRAM
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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시리즈: -
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메모리 포맷: DRAM
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
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메모리 포맷: DRAM
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메모리 포맷: DRAM
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메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR3L
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