메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS46DR81280C-25DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음5,544
IS46DR81280C-25DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음7,182
IS46DR81280C-25DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 400ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음3,564
IS46DR81280C-3DBLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음4,716
IS46DR81280C-3DBLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음2,340
IS46DR81280C-3DBLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음4,086
IS46DR81280C-3DBLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - DDR2 메모리 크기: 1Gb (128M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 450ps 전압-공급: 1.7V ~ 1.9V 작동 온도: -40°C ~ 105°C 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)	재고 있음3,294
IS46LD16640A-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,466
IS46LD16640A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음5,526
IS46LD32320A-25BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,030
IS46LD32320A-25BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,916
IS46LD32320A-25BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음7,956
IS46LD32320A-25BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 400MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,286
IS46LD32320A-3BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음6,408
IS46LD32320A-3BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-TFBGA 공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)	재고 있음2,196
IS46LD32320A-3BPLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음6,210
IS46LD32320A-3BPLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음7,686
IS46LD32320A-3BPLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음6,732
IS46LD32320A-3BPLA25 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음6,516
IS46LD32320A-3BPLA25-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음5,040
IS46LD32320A-3BPLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 333MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 168-VFBGA 공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)	재고 있음5,184
IS46LR16320B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음3,006
IS46LR16320B-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음7,938
IS46LR16320B-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음8,154
IS46LR16320B-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음7,632
IS46LR16320C-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음8,604
IS46LR16320C-6BLA1-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음6,948
IS46LR16320C-6BLA2 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음8,658
IS46LR16320C-6BLA2-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (32M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 60-TFBGA 공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)	재고 있음4,032
IS46LR32160B-6BLA1 ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR 메모리 크기: 512Mb (16M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 1.7V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,698

IS46DR81280C-25DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음5,544

IS46DR81280C-25DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음7,182

IS46DR81280C-25DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 400ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음3,564

IS46DR81280C-3DBLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음4,716

IS46DR81280C-3DBLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음2,340

IS46DR81280C-3DBLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음4,086

IS46DR81280C-3DBLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 60TWBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - DDR2
메모리 크기: 1Gb (128M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 450ps
전압-공급: 1.7V ~ 1.9V
작동 온도: -40°C ~ 105°C
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TWBGA (8x10.5)

재고 있음3,294

IS46LD16640A-25BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음2,466

IS46LD16640A-25BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음5,526

IS46LD32320A-25BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,030

IS46LD32320A-25BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음2,916

IS46LD32320A-25BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음7,956

IS46LD32320A-25BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 400MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
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작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음2,286

IS46LD32320A-3BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음6,408

IS46LD32320A-3BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 134TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-TFBGA
공급자 장치 패키지: 134-TFBGA (10x11.5)

재고 있음2,196

IS46LD32320A-3BPLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음6,210

IS46LD32320A-3BPLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음7,686

IS46LD32320A-3BPLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음6,732

IS46LD32320A-3BPLA25

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음6,516

IS46LD32320A-3BPLA25-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음5,040

IS46LD32320A-3BPLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 168VFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2-S4
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 333MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 168-VFBGA
공급자 장치 패키지: 168-VFBGA (12x12)

재고 있음5,184

IS46LR16320B-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음3,006

IS46LR16320B-6BLA1-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음7,938

IS46LR16320B-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음8,154

IS46LR16320B-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음7,632

IS46LR16320C-6BLA1

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음8,604

IS46LR16320C-6BLA1-TR

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IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음6,948

IS46LR16320C-6BLA2

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음8,658

IS46LR16320C-6BLA2-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 512M PARALLEL 60TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (32M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 15ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 60-TFBGA
공급자 장치 패키지: 60-TFBGA (8x10)

재고 있음4,032

IS46LR32160B-6BLA1

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IC DRAM 512M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR
메모리 크기: 512Mb (16M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 12ns
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 1.7V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

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