메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS42S32800B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-LFBGA 공급자 장치 패키지: 90-LFBGA (8x13)	재고 있음8,658
IS42S32800B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-LFBGA 공급자 장치 패키지: 90-LFBGA (8x13)	재고 있음7,218
IS42S32800B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,654
IS42S32800B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음4,500
IS42S32800B-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음2,250
IS42S32800B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음4,428
IS42S32800B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,834
IS42S32800B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음2,070
IS42S32800B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음2,466
IS42S32800B-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,526
IS42S32800D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,802
IS42S32800D-6BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,910
IS42S32800D-6BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,704
IS42S32800D-6BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,966
IS42S32800D-6BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음15,899
IS42S32800D-6BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,768
IS42S32800D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,912
IS42S32800D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,982
IS42S32800D-6TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음9,409
IS42S32800D-6TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음916
IS42S32800D-6TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음8,334
IS42S32800D-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음6,066
IS42S32800D-75EB ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,028
IS42S32800D-75EBI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,400
IS42S32800D-75EBI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,572
IS42S32800D-75EBL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,348
IS42S32800D-75EBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,958
IS42S32800D-75EBLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,050
IS42S32800D-75EBL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,966
IS42S32800D-75EB-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 256Mb (8M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 133MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.5ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,092

IS42S32800B-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-LFBGA
공급자 장치 패키지: 90-LFBGA (8x13)

재고 있음8,658

IS42S32800B-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90LFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-LFBGA
공급자 장치 패키지: 90-LFBGA (8x13)

재고 있음7,218

IS42S32800B-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,654

IS42S32800B-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음4,500

IS42S32800B-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음2,250

IS42S32800B-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음4,428

IS42S32800B-7TLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,834

IS42S32800B-7TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음2,070

IS42S32800B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음2,466

IS42S32800B-7T-TR

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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,526

IS42S32800D-6B

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,802

IS42S32800D-6BI

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,910

IS42S32800D-6BI-TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음7,704

IS42S32800D-6BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,966

IS42S32800D-6BLI

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음15,899

IS42S32800D-6BLI-TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,768

IS42S32800D-6BL-TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,912

IS42S32800D-6B-TR

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,982

IS42S32800D-6TL

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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음9,409

IS42S32800D-6TLI

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IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음916

IS42S32800D-6TLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음8,334

IS42S32800D-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음6,066

IS42S32800D-75EB

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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,028

IS42S32800D-75EBI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음3,400

IS42S32800D-75EBI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음4,572

IS42S32800D-75EBL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음3,348

IS42S32800D-75EBLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,958

IS42S32800D-75EBLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음4,050

IS42S32800D-75EBL-TR

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기억

IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,966

IS42S32800D-75EB-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 256M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 256Mb (8M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 133MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.5ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

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