메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
IS42S32400B-6TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음6,408
IS42S32400B-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,726
IS42S32400B-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,318
IS42S32400B-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,606
IS42S32400B-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음4,824
IS42S32400B-7BL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,246
IS42S32400B-7BLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,592
IS42S32400B-7BLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음7,938
IS42S32400B-7BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,292
IS42S32400B-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음3,544
IS42S32400B-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음2,322
IS42S32400B-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음4,716
IS42S32400B-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음2,898
IS42S32400B-7TL ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음2,448
IS42S32400B-7TLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음17,566
IS42S32400B-7TLI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음4,032
IS42S32400B-7TL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,744
IS42S32400B-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음5,130
IS42S32400D-6B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,220
IS42S32400D-6B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,604
IS42S32400D-6T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음6,174
IS42S32400D-6T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 166MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음7,146
IS42S32400D-7B ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음2,646
IS42S32400D-7BI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음5,148
IS42S32400D-7BI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음6,678
IS42S32400D-7B-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 90-TFBGA 공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)	재고 있음8,118
IS42S32400D-7T ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,402
IS42S32400D-7TI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,544
IS42S32400D-7TI-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음3,438
IS42S32400D-7T-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc	기억 IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM 메모리 크기: 128Mb (4M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 143MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 5.4ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width) 공급자 장치 패키지: 86-TSOP II	재고 있음5,652

IS42S32400B-6TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음6,408

IS42S32400B-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,726

IS42S32400B-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,318

IS42S32400B-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,606

IS42S32400B-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음4,824

IS42S32400B-7BL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,246

IS42S32400B-7BLI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음2,592

IS42S32400B-7BLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음7,938

IS42S32400B-7BL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,292

IS42S32400B-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음3,544

IS42S32400B-7T

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음2,322

IS42S32400B-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음4,716

IS42S32400B-7TI-TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음2,898

IS42S32400B-7TL

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음2,448

IS42S32400B-7TLI

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음17,566

IS42S32400B-7TLI-TR

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음4,032

IS42S32400B-7TL-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
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장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,744

IS42S32400B-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음5,130

IS42S32400D-6B

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IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,220

IS42S32400D-6B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,604

IS42S32400D-6T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음6,174

IS42S32400D-6T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 166MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음7,146

IS42S32400D-7B

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음2,646

IS42S32400D-7BI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음5,148

IS42S32400D-7BI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음6,678

IS42S32400D-7B-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 90TFBGA

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 90-TFBGA
공급자 장치 패키지: 90-TFBGA (8x13)

재고 있음8,118

IS42S32400D-7T

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,402

IS42S32400D-7TI

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,544

IS42S32400D-7TI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음3,438

IS42S32400D-7T-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

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IC DRAM 128M PARALLEL 86TSOP II

제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM
메모리 크기: 128Mb (4M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 143MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 5.4ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 86-TFSOP (0.400", 10.16mm Width)
공급자 장치 패키지: 86-TSOP II

재고 있음5,652

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