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메모리 IC

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IDT71V67803S166PF8
IDT71V67803S166PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,070
IDT71V67903S75PF
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기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,120
IDT71V67903S75PF8
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음5,094
IDT71V67903S75PFI
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음5,850
IDT71V67903S75PFI8
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 7.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,906
IDT71V67903S80PF
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,608
IDT71V67903S80PF8
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,118
IDT71V67903S80PFI
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
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  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음5,148
IDT71V67903S80PFI8
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IDT, Integrated Device Technology

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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음5,526
IDT71V67903S85PF
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,780
IDT71V67903S85PF8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,788
IDT71V67903S85PFI
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,580
IDT71V67903S85PFI8
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IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 87MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 8.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,606
IS21ES04G-JCLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (MLC)
  • 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
  • 메모리 인터페이스: eMMC
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)
재고 있음42
IS21ES04G-JCLI-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 32GBIT EMMC 153VFBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (MLC)
  • 메모리 크기: 32Gb (4G x 8)
  • 메모리 인터페이스: eMMC
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)
재고 있음583
IS21ES08G-JCLI
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (MLC)
  • 메모리 크기: 64Gb (8G x 8)
  • 메모리 인터페이스: eMMC
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)
재고 있음7,548
IS21ES08G-JCLI-TR
IS21ES08G-JCLI-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 64GBIT EMMC 153VFBGA

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NAND (MLC)
  • 메모리 크기: 64Gb (8G x 8)
  • 메모리 인터페이스: eMMC
  • 시계 주파수: 200MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 153-VFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 153-VFBGA (11.5x13)
재고 있음403
IS25CD010-JDLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음5,544
IS25CD010-JNLE
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,454
IS25CD010-JNLE-TR
IS25CD010-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 1M SPI 100MHZ 8SOIC

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음3,924
IS25CD025-JDLE
IS25CD025-JDLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음6,120
IS25CD025-JDLE-TR
IS25CD025-JDLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음3,798
IS25CD025-JNLE
IS25CD025-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8SOIC

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,500
IS25CD025-JNLE-TR
IS25CD025-JNLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 256K SPI 100MHZ 8SOIC

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음4,032
IS25CD512-JDLE
IS25CD512-JDLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음8,982
IS25CD512-JDLE-TR
IS25CD512-JDLE-TR

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음6,138
IS25CD512-JKLE
IS25CD512-JKLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x5)
재고 있음2,340
IS25CD512-JKLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8WSON

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-WDFN Exposed Pad
  • 공급자 장치 패키지: 8-WSON (6x5)
재고 있음8,154
IS25CD512-JNLE
IS25CD512-JNLE

ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8SOIC

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음5,004
IS25CD512-JNLE-TR
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ISSI, Integrated Silicon Solution Inc

기억

IC FLASH 512K SPI 100MHZ 8SOIC

  • 제조업체: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH
  • 메모리 크기: 512Kb (64K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 100MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.7V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-SOIC
재고 있음6,390