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메모리 IC

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IDT71V67603ZS133PF
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
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  • 시계 주파수: 133MHz
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  • 접근 시간: 4.2ns
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  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (256K x 36)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 117MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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  • 메모리 유형: Volatile
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,388
IDT71V67802S150PF8
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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  • 접근 시간: 3.8ns
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,186
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
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  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음2,340
IDT71V67802S166PF
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,596
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
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IDT71V67803S133PF
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
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  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,830
IDT71V67803S133PF8
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IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
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  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
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  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음6,660
IDT71V67803S133PFI
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  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
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  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음4,698
IDT71V67803S133PFI8
IDT71V67803S133PFI8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 133MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 4.2ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음8,172
IDT71V67803S150PF
IDT71V67803S150PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,456
IDT71V67803S150PF8
IDT71V67803S150PF8

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 150MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.8ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음3,276
IDT71V67803S166PF
IDT71V67803S166PF

IDT, Integrated Device Technology

기억

IC SRAM 9M PARALLEL 100TQFP

  • 제조업체: IDT, Integrated Device Technology Inc
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Synchronous, SDR
  • 메모리 크기: 9Mb (512K x 18)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: 166MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: 3.5ns
  • 전압-공급: 3.135V ~ 3.465V
  • 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 100-LQFP
  • 공급자 장치 패키지: 100-TQFP (14x14)
재고 있음7,488