메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
DSM2190F4V-15K6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 2M PARALLEL 52PLCC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.1x19.1)	재고 있음264
DSM2190F4V-15T6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 2M PARALLEL 52PQFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 2Mb (256K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-QFP 공급자 장치 패키지: 52-PQFP (10x10)	재고 있음5,958
DSQ09G5-004-740 Maxim Integrated	기억 IC MEMORY 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,192
DSQ3301-K04+TW Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 512BIT 1WIRE 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,766
E11043000 Cypress Semiconductor	기억 IC FLASH NOR 제조업체: Cypress Semiconductor Corp 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,230
ECB130ABDCN-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR2 1G DIE 32MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,596
ECB240ABCCN-Y3 Micron Technology Inc.	기억 IC LPDDR2 1.2V DIE-COM 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,246
ECB440ABBCN-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR2 4G DIE 128MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,472
ECF00453ZCN-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 6G DIE 192MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,032
ECF440AACCN-P2-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 4G DIE 128MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,074
ECF440AACCN-P4-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 4G DIE 128MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,606
ECF440AACCN-V6-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 4G DIE 128MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,178
ECF440AACCN-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 4G DIE 128MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,354
ECF620AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 6G DIE 192MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,652
ECF620AAACN-C1-Y3-ES Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 6G DIE 192MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,894
ECF620AAACN-C2-Y3 Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 6G DIE 192MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음2,286
ECF620AAACN-C2-Y3-ES Micron Technology Inc.	기억 LPDDR3 6G DIE 192MX32 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,776
ECF840AAACN-C1-Y3 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,222
ECF840AAACN-C2-Y3 Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 8G PARALLEL 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR3 메모리 크기: 8Gb (512M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음7,542
ECY4008AACS-Y3 Micron Technology Inc.	기억 IC SDRAM DDR4 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음8,946
EDB130ABDBH-1D-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16, 32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,412
EDB1316BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음21,660
EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음7,200
EDB1316BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음7,542
EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음4,680
EDB1316BDBH-1DIT-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음2,862
EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (64M x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음6,750
EDB1332BDBH-1DAAT-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음6,300
EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음7,686
EDB1332BDBH-1DAUT-F-D Micron Technology Inc.	기억 IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA 제조업체: Micron Technology Inc. 시리즈: - 메모리 유형: Volatile 메모리 포맷: DRAM 기술: SDRAM - Mobile LPDDR2 메모리 크기: 1Gb (32M x 32) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: 533MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 1.14V ~ 1.95V 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 134-VFBGA 공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)	재고 있음4,356

DSM2190F4V-15K6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 2M PARALLEL 52PLCC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.1x19.1)

재고 있음264

DSM2190F4V-15T6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 2M PARALLEL 52PQFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-QFP
공급자 장치 패키지: 52-PQFP (10x10)

재고 있음5,958

DSQ09G5-004-740

Maxim Integrated

기억

IC MEMORY

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,192

DSQ3301-K04+TW

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 512BIT 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,766

E11043000

Cypress Semiconductor

기억

IC FLASH NOR

제조업체: Cypress Semiconductor Corp
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,230

ECB130ABDCN-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR2 1G DIE 32MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,596

ECB240ABCCN-Y3

Micron Technology Inc.

기억

IC LPDDR2 1.2V DIE-COM

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,246

ECB440ABBCN-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR2 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,472

ECF00453ZCN-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,032

ECF440AACCN-P2-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,074

ECF440AACCN-P4-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,606

ECF440AACCN-V6-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,178

ECF440AACCN-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 4G DIE 128MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,354

ECF620AAACN-C1-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,652

ECF620AAACN-C1-Y3-ES

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,894

ECF620AAACN-C2-Y3

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음2,286

ECF620AAACN-C2-Y3-ES

Micron Technology Inc.

기억

LPDDR3 6G DIE 192MX32

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,776

ECF840AAACN-C1-Y3

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,222

ECF840AAACN-C2-Y3

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 8G PARALLEL

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR3
메모리 크기: 8Gb (512M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음7,542

ECY4008AACS-Y3

Micron Technology Inc.

기억

IC SDRAM DDR4

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음8,946

EDB130ABDBH-1D-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16, 32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -30°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,412

EDB1316BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음21,660

EDB1316BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음7,200

EDB1316BDBH-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음7,542

EDB1316BDBH-1DAUT-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음4,680

EDB1316BDBH-1DIT-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음2,862

EDB1316BDBH-1DIT-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (64M x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음6,750

EDB1332BDBH-1DAAT-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음6,300

EDB1332BDBH-1DAAT-F-R TR

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 105°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음7,686

EDB1332BDBH-1DAUT-F-D

Micron Technology Inc.

기억

IC DRAM 1G PARALLEL 134VFBGA

제조업체: Micron Technology Inc.
시리즈: -
메모리 유형: Volatile
메모리 포맷: DRAM
기술: SDRAM - Mobile LPDDR2
메모리 크기: 1Gb (32M x 32)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: 533MHz
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 1.14V ~ 1.95V
작동 온도: -40°C ~ 125°C (TC)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 134-VFBGA
공급자 장치 패키지: 134-VFBGA (10x11.5)

재고 있음4,356

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