메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
DS28E10P-W26+1T Maxim Integrated	기억 IC POWER MANAGEMENT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EPROM 기술: EPROM - OTP 메모리 크기: 224b (28 x 8) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-TSOC	재고 있음3,348
DS28E10R+T Maxim Integrated	기억 IC EPROM 224 1WIRE 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EPROM 기술: EPROM - OTP 메모리 크기: 224b (28 x 8) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,078
DS28E10R-W15+1T Maxim Integrated	기억 IC POWER MANAGEMENT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EPROM 기술: EPROM - OTP 메모리 크기: 224b (28 x 8) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: 2.8V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 공급자 장치 패키지: SOT-23-3	재고 있음3,294
DS28E11P+ Maxim Integrated	기억 1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,804
DS28E11P+T Maxim Integrated	기억 1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC T 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음6,336
DS28E80Q+T Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (2K x 1) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2µs 전압-공급: 2.97V ~ 3.63V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)	재고 있음6,228
DS28E80Q+U Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 2Kb (2K x 1) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 2µs 전압-공급: 2.97V ~ 3.63V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)	재고 있음7,326
DS28E81+ Maxim Integrated	기억 RADIATION RESISTANT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음5,256
DS28E81P+ Maxim Integrated	기억 RADIATION RESISTANT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음3,852
DS28E81P+T Maxim Integrated	기억 RADIATION RESISTANT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,950
DS28E81+T Maxim Integrated	기억 RADIATION RESISTANT 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: * 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: -	재고 있음4,824
DS28EC20+ Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음50,118
DS28EC20P+ Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-TSOC	재고 있음27,324
DS28EC20P+T Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width) 공급자 장치 패키지: 6-TSOC	재고 있음553
DS28EC20Q+T Maxim Integrated	기억 1-W 20K EEPROM TDFN 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)	재고 있음2,664
DS28EC20Q+U Maxim Integrated	기억 1-W 20K EEPROM TDFN 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad 공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)	재고 있음5,958
DS28EC20+T Maxim Integrated	기억 IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: EEPROM 기술: EEPROM 메모리 크기: 20Kb (256 x 80) 메모리 인터페이스: 1-Wire® 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) 공급자 장치 패키지: TO-92-3	재고 있음31,062
DS3030W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)	재고 있음4,878
DS3045W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)	재고 있음7,740
DS3050W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 256BGA 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)	재고 있음6,228
DS3065W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 256BGA 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)	재고 있음2,520
DS3065WP-100IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음2,430
DS3070W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 256BGA 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 256-BGA 공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)	재고 있음4,194
DS3645B Maxim Integrated	기억 IC 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: - 메모리 포맷: - 기술: - 메모리 크기: - 메모리 인터페이스: - 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: - 전압-공급: - 작동 온도: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 49-LFBGA, CSPBGA 공급자 장치 패키지: 49-CSBGA (7x7)	재고 있음5,148
DS3803-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 1M PARALLEL 72SIMM 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 1Mb (128K x 8, 32K x 32, 64K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Socket 패키지 / 케이스: 72-SIMM 공급자 장치 패키지: 72-SIMM	재고 있음7,488
DSM2150F5V-12T6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 4M PARALLEL 80TQFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 120ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 80-TQFP 공급자 장치 패키지: 80-TQFP (12x12)	재고 있음3,114
DSM2180F3-90K6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 90ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.1x19.1)	재고 있음3,042
DSM2180F3-90T6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 90ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-QFP 공급자 장치 패키지: 52-PQFP (10x10)	재고 있음4,968
DSM2180F3V-15K6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead) 공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.1x19.1)	재고 있음8,928
DSM2180F3V-15T6 STMicroelectronics	기억 IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP 제조업체: STMicroelectronics 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: FLASH 기술: FLASH 메모리 크기: 1Mb (128K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: - 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 52-QFP 공급자 장치 패키지: 52-PQFP (10x10)	재고 있음7,362

DS28E10P-W26+1T

Maxim Integrated

기억

IC POWER MANAGEMENT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EPROM
기술: EPROM - OTP
메모리 크기: 224b (28 x 8)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-TSOC

재고 있음3,348

DS28E10R+T

Maxim Integrated

기억

IC EPROM 224 1WIRE

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EPROM
기술: EPROM - OTP
메모리 크기: 224b (28 x 8)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,078

DS28E10R-W15+1T

Maxim Integrated

기억

IC POWER MANAGEMENT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EPROM
기술: EPROM - OTP
메모리 크기: 224b (28 x 8)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: 2.8V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
공급자 장치 패키지: SOT-23-3

재고 있음3,294

DS28E11P+

Maxim Integrated

기억

1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,804

DS28E11P+T

Maxim Integrated

기억

1-W 256B EEPROM W/SHA-256 TSOC T

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음6,336

DS28E80Q+T

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (2K x 1)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2µs
전압-공급: 2.97V ~ 3.63V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)

재고 있음6,228

DS28E80Q+U

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 2K 1WIRE 6TDFN

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 2Kb (2K x 1)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 2µs
전압-공급: 2.97V ~ 3.63V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)

재고 있음7,326

DS28E81+

Maxim Integrated

기억

RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음5,256

DS28E81P+

Maxim Integrated

기억

RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음3,852

DS28E81P+T

Maxim Integrated

기억

RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,950

DS28E81+T

Maxim Integrated

기억

RADIATION RESISTANT

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: *
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -

재고 있음4,824

DS28EC20+

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음50,118

DS28EC20P+

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-TSOC

재고 있음27,324

DS28EC20P+T

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 20K 1WIRE 6TSOC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-LSOJ (0.148", 3.76mm Width)
공급자 장치 패키지: 6-TSOC

재고 있음553

DS28EC20Q+T

Maxim Integrated

기억

1-W 20K EEPROM TDFN

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)

재고 있음2,664

DS28EC20Q+U

Maxim Integrated

기억

1-W 20K EEPROM TDFN

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 6-WDFN Exposed Pad
공급자 장치 패키지: 6-TDFN-EP (3x3)

재고 있음5,958

DS28EC20+T

Maxim Integrated

기억

IC EEPROM 20K 1WIRE TO92-3

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: EEPROM
기술: EEPROM
메모리 크기: 20Kb (256 x 80)
메모리 인터페이스: 1-Wire®
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
공급자 장치 패키지: TO-92-3

재고 있음31,062

DS3030W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 256BGA

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)

재고 있음4,878

DS3045W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 256BGA

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)

재고 있음7,740

DS3050W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 256BGA

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)

재고 있음6,228

DS3065W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 256BGA

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)

재고 있음2,520

DS3065WP-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음2,430

DS3070W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 256BGA

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 256-BGA
공급자 장치 패키지: 256-BGA (27x27)

재고 있음4,194

DS3645B

Maxim Integrated

기억

IC

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: -
메모리 포맷: -
기술: -
메모리 크기: -
메모리 인터페이스: -
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: -
전압-공급: -
작동 온도: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 49-LFBGA, CSPBGA
공급자 장치 패키지: 49-CSBGA (7x7)

재고 있음5,148

DS3803-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 1M PARALLEL 72SIMM

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 1Mb (128K x 8, 32K x 32, 64K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Socket
패키지 / 케이스: 72-SIMM
공급자 장치 패키지: 72-SIMM

재고 있음7,488

DSM2150F5V-12T6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 4M PARALLEL 80TQFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 120ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 80-TQFP
공급자 장치 패키지: 80-TQFP (12x12)

재고 있음3,114

DSM2180F3-90K6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 90ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.1x19.1)

재고 있음3,042

DSM2180F3-90T6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 90ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-QFP
공급자 장치 패키지: 52-PQFP (10x10)

재고 있음4,968

DSM2180F3V-15K6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 1M PARALLEL 52PLCC

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-LCC (J-Lead)
공급자 장치 패키지: 52-PLCC (19.1x19.1)

재고 있음8,928

DSM2180F3V-15T6

STMicroelectronics

기억

IC FLASH 1M PARALLEL 52PQFP

제조업체: STMicroelectronics
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: FLASH
기술: FLASH
메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 52-QFP
공급자 장치 패키지: 52-PQFP (10x10)

재고 있음7,362

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