메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
DS1265W-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음8,784
DS1265W-150+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음8,712
DS1265Y-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음5,400
DS1265Y-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음1,489
DS1265Y-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음6,408
DS1265Y-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음2,234
DS1265Y-70IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음286
DS1270AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음7,020
DS1270AB-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음8,424
DS1270AB-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음8,946
DS1270AB-70# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음3,618
DS1270AB-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음8,568
DS1270AB-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음4,194
DS1270W-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음4,230
DS1270W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음4,518
DS1270W-100IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음2,592
DS1270W-100IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음2,196
DS1270W-150# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음5,328
DS1270W-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음47
DS1270Y-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음5,688
DS1270Y-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음7,614
DS1270Y-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음8,226
DS1270Y-70# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음13
DS1270Y-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음3,960
DS1270Y-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 16Mb (2M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음751
DS1330ABP-100+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음2,808
DS1330ABP-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음3,834
DS1330ABP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음3,366
DS1330ABP-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음6,102
DS1330ABP-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 256Kb (32K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음5,616

DS1265W-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음8,784

DS1265W-150+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음8,712

DS1265Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음5,400

DS1265Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음1,489

DS1265Y-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음6,408

DS1265Y-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음2,234

DS1265Y-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음286

DS1270AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음7,020

DS1270AB-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음8,424

DS1270AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음8,946

DS1270AB-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음3,618

DS1270AB-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음8,568

DS1270AB-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음4,194

DS1270W-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음4,230

DS1270W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음4,518

DS1270W-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음2,592

DS1270W-100IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음2,196

DS1270W-150#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음5,328

DS1270W-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음47

DS1270Y-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음5,688

DS1270Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음7,614

DS1270Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음8,226

DS1270Y-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음13

DS1270Y-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음3,960

DS1270Y-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 16M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 16Mb (2M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음751

DS1330ABP-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음2,808

DS1330ABP-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음3,834

DS1330ABP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음3,366

DS1330ABP-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음6,102

DS1330ABP-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 256K PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 256Kb (32K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음5,616

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