메모리 IC

부품 번호	설명	재고 있음
DS1250YP-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음4,932
DS1250YP-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음1,769
DS1250YP-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음1,961
DS1250YP-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음2,070
DS1250YP-70IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 4Mb (512K x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module 공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module	재고 있음838
DS1258AB-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음2,232
DS1258AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음3,454
DS1258AB-70# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음8,154
DS1258AB-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음4,824
DS1258AB-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음5,796
DS1258W-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음8,568
DS1258W-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음7,884
DS1258W-100IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음6,606
DS1258W-150# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음2,772
DS1258W-150 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns 접근 시간: 150ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음3,454
DS1258Y-100# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음7,344
DS1258Y-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음3,672
DS1258Y-70# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음2,448
DS1258Y-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음2,196
DS1258Y-70IND# Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 2Mb (128K x 16) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.5V ~ 5.5V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm) 공급자 장치 패키지: 40-EDIP	재고 있음5,220
DS1265AB-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음2,736
DS1265AB-100+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음7,524
DS1265AB-70+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음3,942
DS1265AB-70 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음2,394
DS1265AB-70IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음4,500
DS1265AB-70IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns 접근 시간: 70ns 전압-공급: 4.75V ~ 5.25V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음6,216
DS1265W-100 Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음1,822
DS1265W-100+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음56
DS1265W-100IND Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음4,023
DS1265W-100IND+ Maxim Integrated	기억 IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP 제조업체: Maxim Integrated 시리즈: - 메모리 유형: Non-Volatile 메모리 포맷: NVSRAM 기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM) 메모리 크기: 8Mb (1M x 8) 메모리 인터페이스: Parallel 시계 주파수: - 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns 접근 시간: 100ns 전압-공급: 3V ~ 3.6V 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm) 공급자 장치 패키지: 36-EDIP	재고 있음6,318

DS1250YP-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음4,932

DS1250YP-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음1,769

DS1250YP-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음1,961

DS1250YP-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음2,070

DS1250YP-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 4M PARALLEL 34PWRCAP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 4Mb (512K x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: 34-PowerCap™ Module
공급자 장치 패키지: 34-PowerCap Module

재고 있음838

DS1258AB-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음2,232

DS1258AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음3,454

DS1258AB-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음8,154

DS1258AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음4,824

DS1258AB-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음5,796

DS1258W-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음8,568

DS1258W-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음7,884

DS1258W-100IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음6,606

DS1258W-150#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음2,772

DS1258W-150

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 150ns
접근 시간: 150ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음3,454

DS1258Y-100#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음7,344

DS1258Y-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음3,672

DS1258Y-70#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음2,448

DS1258Y-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음2,196

DS1258Y-70IND#

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 2M PARALLEL 40EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.5V ~ 5.5V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 40-DIP Module (0.610", 15.495mm)
공급자 장치 패키지: 40-EDIP

재고 있음5,220

DS1265AB-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음2,736

DS1265AB-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음7,524

DS1265AB-70+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음3,942

DS1265AB-70

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음2,394

DS1265AB-70IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음4,500

DS1265AB-70IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
접근 시간: 70ns
전압-공급: 4.75V ~ 5.25V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음6,216

DS1265W-100

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음1,822

DS1265W-100+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: 0°C ~ 70°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음56

DS1265W-100IND

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음4,023

DS1265W-100IND+

Maxim Integrated

기억

IC NVSRAM 8M PARALLEL 36EDIP

제조업체: Maxim Integrated
시리즈: -
메모리 유형: Non-Volatile
메모리 포맷: NVSRAM
기술: NVSRAM (Non-Volatile SRAM)
메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
메모리 인터페이스: Parallel
시계 주파수: -
쓰기주기 시간-단어, 페이지: 100ns
접근 시간: 100ns
전압-공급: 3V ~ 3.6V
작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: 36-DIP Module (0.600", 15.24mm)
공급자 장치 패키지: 36-EDIP

재고 있음6,318

Send Message

Certifications

메모리 IC

자원

지원

Social Media

Need Help?
Send Message