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메모리 IC

기록 47,332
페이지 1272/1578
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부품 번호
설명
재고 있음
수량
N01S830HAT22I
N01S830HAT22I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 20MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음10,860
N01S830HAT22IT
N01S830HAT22IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 1M SPI 20MHZ 8TSSOP

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM
  • 메모리 크기: 1Mb (128K x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 20MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 2.5V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 8-TSSOP
재고 있음5,400
N02L6181AB27I
N02L6181AB27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음3,114
N02L6181AB28I
N02L6181AB28I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 85ns
  • 접근 시간: 85ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음4,068
N02L63W2AB25I
N02L63W2AB25I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음4,320
N02L63W2AT25I
N02L63W2AT25I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음2,556
N02L63W3AB25I
N02L63W3AB25I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음7,236
N02L63W3AB25IT
N02L63W3AB25IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음7,902
N02L63W3AT25I
N02L63W3AT25I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,246
N02L63W3AT25IT
N02L63W3AT25IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (128K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,966
N02L83W2AN25I
N02L83W2AN25I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음2,916
N02L83W2AN25IT
N02L83W2AN25IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 32STSOP I

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.465", 11.80mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-sTSOP I
재고 있음7,452
N02L83W2AT25I
N02L83W2AT25I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 2M PARALLEL 32TSOP I

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 2Mb (256K x 8)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 55ns
  • 접근 시간: 55ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 32-LFSOP (0.724", 18.40mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 32-TSOP I
재고 있음5,274
N04L63W1AB27I
N04L63W1AB27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음3,744
N04L63W1AB27IT
N04L63W1AB27IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음3,420
N04L63W1AT27I
N04L63W1AT27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,354
N04L63W1AT27IT
N04L63W1AT27IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음4,590
N04L63W2AB27I
N04L63W2AB27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음5,688
N04L63W2AT27I
N04L63W2AT27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음6,390
N04L63W2AT27IT
N04L63W2AT27IT

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 44TSOP II

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: 44-TSOP II
재고 있음8,532
N08L6182AB27I
N08L6182AB27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 8M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 8Mb (512K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 1.65V ~ 2.2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음5,274
N08L63W2AB27I
N08L63W2AB27I

ON Semiconductor

기억

IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Volatile
  • 메모리 포맷: SRAM
  • 기술: SRAM - Asynchronous
  • 메모리 크기: 4Mb (256K x 16)
  • 메모리 인터페이스: Parallel
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 70ns
  • 접근 시간: 70ns
  • 전압-공급: 2.3V ~ 3.6V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 48-LFBGA
  • 공급자 장치 패키지: 48-BGA (6x8)
재고 있음7,578
N24C02UDTG
N24C02UDTG

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 1MHZ US8

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
  • 접근 시간: 450ns
  • 전압-공급: 1.6V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: US8
재고 있음6,138
N24C02UVTG
N24C02UVTG

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 2K I2C 1MHZ US8

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 2Kb (128 x 16)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
  • 접근 시간: 450ns
  • 전압-공급: 1.6V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: US8
재고 있음28,206
N24C64UVTG
N24C64UVTG

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM 64K I2C 1MHZ US8

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: EEPROM
  • 메모리 크기: 64Kb (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 4ms
  • 접근 시간: 400ns
  • 전압-공급: 1.8V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 125°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 8-VFSOP (0.091", 2.30mm Width)
  • 공급자 장치 패키지: US8
재고 있음4,752
N24S128C4DYT3G
N24S128C4DYT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM I2C 128GB WLCSP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음2,394
N24S64BC4DYT3G
N24S64BC4DYT3G

ON Semiconductor

기억

NEW OPN N24S64BC4DYT3G -

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: EEPROM
  • 기술: -
  • 메모리 크기: 64K (8K x 8)
  • 메모리 인터페이스: I²C
  • 시계 주파수: 1MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 5ms
  • 접근 시간: 400ns
  • 전압-공급: 1.7V ~ 5.5V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: Surface Mount
  • 패키지 / 케이스: 4-XFBGA, WLCSP
  • 공급자 장치 패키지: 4-WLCSP (0.77x0.77)
재고 있음6,066
N24S64C4DYT3G
N24S64C4DYT3G

ON Semiconductor

기억

IC EEPROM I2C 64GB WLCSP4

  • 제조업체: ON Semiconductor
  • 시리즈: *
  • 메모리 유형: -
  • 메모리 포맷: -
  • 기술: -
  • 메모리 크기: -
  • 메모리 인터페이스: -
  • 시계 주파수: -
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: -
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: -
  • 작동 온도: -
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,024
N25Q008A11EF440E
N25Q008A11EF440E

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M SPI 108MHZ UFDFPN

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
재고 있음3,222
N25Q008A11EF440F TR
N25Q008A11EF440F TR

Micron Technology Inc.

기억

IC FLASH 8M SPI 108MHZ UFDFPN

  • 제조업체: Micron Technology Inc.
  • 시리즈: -
  • 메모리 유형: Non-Volatile
  • 메모리 포맷: FLASH
  • 기술: FLASH - NOR
  • 메모리 크기: 8Mb (1M x 8)
  • 메모리 인터페이스: SPI
  • 시계 주파수: 108MHz
  • 쓰기주기 시간-단어, 페이지: 8ms, 5ms
  • 접근 시간: -
  • 전압-공급: 1.7V ~ 2V
  • 작동 온도: -40°C ~ 85°C (TA)
  • 장착 유형: -
  • 패키지 / 케이스: -
  • 공급자 장치 패키지: -
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