N08L63W2AB27I
참조 용
| 부품 번호 | N08L63W2AB27I |
| PNEDA 부품 번호 | N08L63W2AB27I |
| 설명 | IC SRAM 4M PARALLEL 48BGA |
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,578 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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N08L63W2AB27I 리소스
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N08L63W2AB27I 사양
| 제조업체 | ON Semiconductor |
| 시리즈 | - |
| 메모리 유형 | Volatile |
| 메모리 포맷 | SRAM |
| 기술 | SRAM - Asynchronous |
| 메모리 크기 | 4Mb (256K x 16) |
| 메모리 인터페이스 | Parallel |
| 시계 주파수 | - |
| 쓰기주기 시간-단어, 페이지 | 70ns |
| 접근 시간 | 70ns |
| 전압-공급 | 2.3V ~ 3.6V |
| 작동 온도 | -40°C ~ 85°C (TA) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 48-LFBGA |
| 공급자 장치 패키지 | 48-BGA (6x8) |
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제조업체 Microchip Technology 시리즈 - 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 EEPROM 기술 EEPROM 메모리 크기 1Kb (128 x 8) 메모리 인터페이스 I²C 시계 주파수 400kHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 5ms 접근 시간 900ns 전압-공급 1.7V ~ 5.5V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
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제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 - 메모리 유형 Volatile 메모리 포맷 SRAM 기술 SRAM - Synchronous, DDR II+ 메모리 크기 18Mb (1M x 18) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 450MHz 쓰기주기 시간-단어, 페이지 - 접근 시간 - 전압-공급 1.7V ~ 1.9V 작동 온도 0°C ~ 70°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 165-LBGA 공급자 장치 패키지 165-FBGA (13x15) |
제조업체 Cypress Semiconductor Corp 시리즈 ML-1 메모리 유형 Non-Volatile 메모리 포맷 FLASH 기술 FLASH - NAND 메모리 크기 4Gb (512M x 8) 메모리 인터페이스 Parallel 시계 주파수 - 쓰기주기 시간-단어, 페이지 25ns 접근 시간 - 전압-공급 2.7V ~ 3.6V 작동 온도 -40°C ~ 85°C (TA) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 63-VFBGA 공급자 장치 패키지 63-BGA (11x9) |
