다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
1N5620GPHE3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,748
1N5620US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음245
1N5621 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,892
1N5621 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 18pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,858
1N5621GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,412
1N5621GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,712
1N5621GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,834
1N5621US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 300ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,344
1N5622 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,652
1N5622 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음5,274
1N5622C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,850
1N5622GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,948
1N5622GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,130
1N5622US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음8,784
1N5623 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 18pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,568
1N5623 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,172
1N5623GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,146
1N5623GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,842
1N5623US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 500ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V 커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,050
1N5624GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,762
1N5624GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURPOSE DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: * 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음7,794
1N5624GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,284
1N5624-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 7.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지: SOD-64 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,012
1N5624-TR Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 7.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지: SOD-64 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음5,220
1N5625GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 5µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,610
1N5625GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURPOSE DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: * 다이오드 유형: - 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): - 전류-평균 정류 (Io): - 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: - 속도: - 역 복구 시간 (trr): - 전류-역방향 누설 @ Vr: - 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: - 패키지 / 케이스: - 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -	재고 있음8,856
1N5625GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,554
1N5625-TAP Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 7.5µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지: SOD-64 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음63,468
1N5625-TR Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: SOD-64, Axial 공급자 장치 패키지: SOD-64 작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C	재고 있음39,402
1N5626GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 3A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 3µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,740

1N5620GPHE3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,748

1N5620US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음245

1N5621

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 300ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,892

1N5621

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 300ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 18pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,858

1N5621GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 300ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,412

1N5621GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 300ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,712

1N5621GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 300ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,834

1N5621US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 300ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,344

1N5622

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,652

1N5622

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음5,274

1N5622C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,850

1N5622GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,948

1N5622GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,130

1N5622US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음8,784

1N5623

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 500ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 18pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,568

1N5623

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 500ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,172

1N5623GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 500ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,146

1N5623GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 500ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,842

1N5623US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 1KV 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 1000V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 500ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 1000V
커패시턴스 @ Vr, F: 15pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,050

1N5624GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 3µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,762

1N5624GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURPOSE DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: *
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음7,794

1N5624GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 3µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,284

1N5624-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 7.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
공급자 장치 패키지: SOD-64
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,012

1N5624-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 200V 3A SOD64

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 7.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
공급자 장치 패키지: SOD-64
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음5,220

1N5625GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 5µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,610

1N5625GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURPOSE DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: *
다이오드 유형: -
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): -
전류-평균 정류 (Io): -
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: -
속도: -
역 복구 시간 (trr): -
전류-역방향 누설 @ Vr: -
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: -
패키지 / 케이스: -
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -

재고 있음8,856

1N5625GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 3µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,554

1N5625-TAP

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 7.5µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
공급자 장치 패키지: SOD-64
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음63,468

1N5625-TR

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE AVALANCHE 400V 3A SOD64

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 3µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 1µA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 60pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: SOD-64, Axial
공급자 장치 패키지: SOD-64
작동 온도-접합: -55°C ~ 175°C

재고 있음39,402

1N5626GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 3A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 3A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 3µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 5µA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 40pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,740

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