다이오드 및 정류기

부품 번호	설명	재고 있음
1N5615GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,632
1N5615US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 200V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,294
1N5615US/TR Microsemi	정류기-싱글 UFR,FRR 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V 커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,478
1N5616 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,406
1N5616 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음6,948
1N5616C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,420
1N5616US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음17
1N5617 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,922
1N5617 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,312
1N5617C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음8,496
1N5617E3 Microsemi	정류기-싱글 RECTIFIER 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 800mV @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: A, Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음4,770
1N5617GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음35,802
1N5617GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,704
1N5617GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,418
1N5617US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 400V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 150ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V 커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,284
1N5618 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,246
1N5618 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음11,028
1N5618GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,236
1N5618GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,772
1N5618US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음9,720
1N5619 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음3,132
1N5619 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음7,488
1N5619GP-E3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음5,814
1N5619GP-E3/73 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: Automotive, AEC-Q101 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial 공급자 장치 패키지: DO-201AD 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,930
1N5619GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음2,100
1N5619US Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 600V 1A D5A 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 250ns 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V 커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Surface Mount 패키지 / 케이스: SQ-MELF, A 공급자 장치 패키지: D-5A 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,876
1N5620 Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음264
1N5620 Microsemi	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 제조업체: Microsemi Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: - 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: A, Axial 공급자 장치 패키지: - 작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C	재고 있음151
1N5620C.TR Semtech	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL 제조업체: Semtech Corporation 시리즈: - 다이오드 유형: Avalanche 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 2A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: Axial 공급자 장치 패키지: Axial 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음14,592
1N5620GPHE3/54 Vishay Semiconductor Diodes Division	정류기-싱글 DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC 제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division 시리즈: SUPERECTIFIER® 다이오드 유형: Standard 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V 전류-평균 정류 (Io): 1A 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A 속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) 역 복구 시간 (trr): 2µs 전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V 커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz 장착 유형: Through Hole 패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial 공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15) 작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C	재고 있음6,120

1N5615GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,632

1N5615US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 200V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,294

1N5615US/TR

Microsemi

정류기-싱글

UFR,FRR

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 200V
커패시턴스 @ Vr, F: 45pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,478

1N5616

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,406

1N5616

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음6,948

1N5616C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,420

1N5616US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음17

1N5617

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,922

1N5617

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,312

1N5617C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음8,496

1N5617E3

Microsemi

정류기-싱글

RECTIFIER

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 800mV @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: A, Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음4,770

1N5617GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음35,802

1N5617GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,704

1N5617GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,418

1N5617US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 400V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 400V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 150ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 400V
커패시턴스 @ Vr, F: 35pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,284

1N5618

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,246

1N5618

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음11,028

1N5618GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,236

1N5618GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,772

1N5618US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음9,720

1N5619

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 27pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음3,132

1N5619

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음7,488

1N5619GP-E3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음5,814

1N5619GP-E3/73

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO201AD

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: Automotive, AEC-Q101
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-201AD, Axial
공급자 장치 패키지: DO-201AD
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,930

1N5619GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음2,100

1N5619US

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 600V 1A D5A

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 600V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.6V @ 3A
속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 250ns
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 600V
커패시턴스 @ Vr, F: 25pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Surface Mount
패키지 / 케이스: SQ-MELF, A
공급자 장치 패키지: D-5A
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음6,876

1N5620

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 2A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음264

1N5620

Microsemi

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Microsemi Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.3V @ 3A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: -
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: A, Axial
공급자 장치 패키지: -
작동 온도-접합: -65°C ~ 200°C

재고 있음151

1N5620C.TR

Semtech

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A AXIAL

제조업체: Semtech Corporation
시리즈: -
다이오드 유형: Avalanche
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 2A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.1V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 23pF @ 5V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: Axial
공급자 장치 패키지: Axial
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

재고 있음14,592

1N5620GPHE3/54

Vishay Semiconductor Diodes Division

정류기-싱글

DIODE GEN PURP 800V 1A DO204AC

제조업체: Vishay Semiconductor Diodes Division
시리즈: SUPERECTIFIER®
다이오드 유형: Standard
전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 800V
전류-평균 정류 (Io): 1A
전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 1.2V @ 1A
속도: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
역 복구 시간 (trr): 2µs
전류-역방향 누설 @ Vr: 500nA @ 800V
커패시턴스 @ Vr, F: 20pF @ 12V, 1MHz
장착 유형: Through Hole
패키지 / 케이스: DO-204AC, DO-15, Axial
공급자 장치 패키지: DO-204AC (DO-15)
작동 온도-접합: -65°C ~ 175°C

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