다이오드 및 정류기

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GeneSiC Semiconductor

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DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

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DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 35V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 35V
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DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 35V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 600mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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DIODE SCHOTTKY 35V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
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• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 35V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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DIODE SCHOTTKY 45V 300A 3TOWER

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• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 600mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5mA @ 45V
• 작동 온도-접합: -40°C ~ 100°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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DIODE SCHOTTKY 60V 300A 3TOWER

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• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 60V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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DIODE SCHOTTKY 60V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 60V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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DIODE SCHOTTKY 80V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 80V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 80V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 80V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 100V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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DIODE SCHOTTKY 100V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 100V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER

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• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5mA @ 150V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 150V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5mA @ 150V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER

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• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 720mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER

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• 다이오드 유형: Schottky
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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5mA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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DIODE SCHOTTKY 200V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 5mA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER

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• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 720mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA80020RL

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 20V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA80030

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 30V 400A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 400A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 720mV @ 400A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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