다이오드 및 정류기

MBRTA500100R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 100V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 100V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA500150

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 150V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA500150R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 150V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA50020

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 20V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA500200

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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GeneSiC Semiconductor

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DIODE SCHOTTKY 200V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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MBRTA50020R

GeneSiC Semiconductor

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DIODE SCHOTTKY 150V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 150V
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DIODE SCHOTTKY 30V 250A 3TOWER

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• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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MBRTA50030R

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DIODE SCHOTTKY 30V 250A 3TOWER

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• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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MBRTA50035

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DIODE SCHOTTKY 35V 250A 3TOWER

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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
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DIODE SCHOTTKY 35V 250A 3TOWER

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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
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DIODE SCHOTTKY 40V 250A 3TOWER

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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 40V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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DIODE SCHOTTKY 40V 250A 3TOWER

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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
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• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
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DIODE SCHOTTKY 45V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
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• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 45V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 45V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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MBRTA50060

GeneSiC Semiconductor

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DIODE SCHOTTKY 60V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 60V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA50060R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 60V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 60V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 750mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 60V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
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MBRTA50080

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 80V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 80V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA50080R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 80V 250A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 80V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 250A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 250A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 80V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
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MBRTA600100

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 100V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 100V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA600100R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 100V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 100V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 840mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 100V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA600150

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 150V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA600150R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 150V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 150V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 880mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 150V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA60020

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DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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MBRTA600200

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DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
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• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA600200R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 200V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 200V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 920mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 4mA @ 200V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA60020L

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DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
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MBRTA60020R

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA60020RL

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 20V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Anode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 20V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 580mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 3mA @ 20V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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MBRTA60030

GeneSiC Semiconductor

정류기-배열

DIODE SCHOTTKY 30V 300A 3TOWER

• 제조업체: GeneSiC Semiconductor
• 시리즈: -
• 다이오드 구성: 1 Pair Common Cathode
• 다이오드 유형: Schottky
• 전압-DC 역방향 (Vr) (최대): 30V
• 전류-평균 정류 (Io) (다이오드 당): 300A
• 전압-순방향 (Vf) (최대) @ If: 700mV @ 300A
• 속도: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
• 역 복구 시간 (trr): -
• 전류-역방향 누설 @ Vr: 1mA @ 30V
• 작동 온도-접합: -55°C ~ 150°C
• 장착 유형: Chassis Mount
• 패키지 / 케이스: Three Tower
• 공급자 장치 패키지: Three Tower

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