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STGW75M65DF2

STGW75M65DF2

참조 용

부품 번호 STGW75M65DF2
PNEDA 부품 번호 STGW75M65DF2
설명 TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT M SE
제조업체 STMicroelectronics
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STGW75M65DF2 리소스

브랜드 STMicroelectronics
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호STGW75M65DF2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
STGW75M65DF2, STGW75M65DF2 데이터 시트 (총 페이지: 18, 크기: 1,019.14 KB)
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STGW75M65DF2 사양

제조업체STMicroelectronics
시리즈M
IGBT 유형Trench Field Stop
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)120A
전류-수집기 펄스 (Icm)225A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 75A
전력-최대468W
에너지 전환690µJ (on), 2.54mJ (off)
입력 유형Standard
게이트 차지225nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C47ns/125ns
테스트 조건400V, 75A, 3.3Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)165ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-247-3
공급자 장치 패키지TO-247

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STGW40H120F2

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

-

IGBT 유형

Trench Field Stop

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80A

전류-수집기 펄스 (Icm)

160A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.6V @ 15V, 40A

전력-최대

468W

에너지 전환

1mJ (on), 1.32mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

158nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/152ns

테스트 조건

600V, 40A, 10Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247

IRGC4062B

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

24A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

Die

공급자 장치 패키지

Die

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

200A

전류-수집기 펄스 (Icm)

600A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.35V @ 15V, 100A

전력-최대

780W

에너지 전환

2.7mJ (on), 6.6mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

450nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

39ns/295ns

테스트 조건

480V, 100A, 1.5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

PLUS247™-3

제조업체

IXYS

시리즈

GenX3™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

400A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.8V @ 15V, 60A

전력-최대

540W

에너지 전환

1.38mJ (on), 1.05mJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

31ns/150ns

테스트 조건

480V, 50A, 3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

RJP60V0DPM-00#T1

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

Trench

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

45A

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 22A

전력-최대

40W

에너지 전환

-

입력 유형

Standard

게이트 차지

75nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

45ns/100ns

테스트 조건

300V, 22A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-3PFM, SC-93-3

공급자 장치 패키지

TO-3PFM

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