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AFGB30T65SQDN

AFGB30T65SQDN

참조 용

부품 번호 AFGB30T65SQDN
PNEDA 부품 번호 AFGB30T65SQDN
설명 650V/30A FS4 IGBT TO263 A
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
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창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

AFGB30T65SQDN 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호AFGB30T65SQDN
분류반도체트랜지스터트랜지스터-IGBT-단일
데이터 시트
AFGB30T65SQDN, AFGB30T65SQDN 데이터 시트 (총 페이지: 9, 크기: 229.53 KB)
PDFAFGB30T65SQDN 데이터 시트 표지
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AFGB30T65SQDN 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈Automotive, AEC-Q101, EcoSPARK®
IGBT 유형-
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)650V
전류-수집기 (Ic) (최대)60A
전류-수집기 펄스 (Icm)120A
Vce (on) (최대) @ Vge, Ic2.1V @ 15V, 30A
전력-최대220W
에너지 전환-
입력 유형-
게이트 차지56nC
Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C14.5ns/63.2ns
테스트 조건400V, 30A, 6Ohm, 15V
역 복구 시간 (trr)245ns
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
공급자 장치 패키지D²PAK-3 (TO-263-3)

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제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

75A

전류-수집기 펄스 (Icm)

200A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

1.7V @ 15V, 30A

전력-최대

300W

에너지 전환

400µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

100nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

18ns/130ns

테스트 조건

400V, 30A, 3.3Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

25ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247AD (IXGH)

APT80GA60LD40

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

POWER MOS 8™

IGBT 유형

PT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

143A

전류-수집기 펄스 (Icm)

240A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.5V @ 15V, 47A

전력-최대

625W

에너지 전환

840µJ (on), 751µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

230nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

23ns/158ns

테스트 조건

400V, 47A, 4.7Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

22ns

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-264-3, TO-264AA

공급자 장치 패키지

TO-264

RJH60D2DPP-A0#T2

Renesas Electronics America

제조업체

Renesas Electronics America

시리즈

-

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

전류-수집기 펄스 (Icm)

-

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

-

전력-최대

-

에너지 전환

-

입력 유형

-

게이트 차지

-

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

-

테스트 조건

-

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

APT25GT120BRG

Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

Thunderbolt IGBT®

IGBT 유형

NPT

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

1200V

전류-수집기 (Ic) (최대)

54A

전류-수집기 펄스 (Icm)

75A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

3.7V @ 15V, 25A

전력-최대

347W

에너지 전환

930µJ (on), 720µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

170nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

14ns/150ns

테스트 조건

800V, 25A, 5Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-247-3

공급자 장치 패키지

TO-247 [B]

IXGC12N60C

IXYS

제조업체

IXYS

시리즈

HiPerFAST™

IGBT 유형

-

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

600V

전류-수집기 (Ic) (최대)

15A

전류-수집기 펄스 (Icm)

48A

Vce (on) (최대) @ Vge, Ic

2.7V @ 15V, 12A

전력-최대

85W

에너지 전환

90µJ (off)

입력 유형

Standard

게이트 차지

32nC

Td (켜기 / 끄기) @ 25 ° C

20ns/60ns

테스트 조건

480V, 12A, 18Ohm, 15V

역 복구 시간 (trr)

-

작동 온도

-40°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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