SSM6L12TU,LF
참조 용
| 부품 번호 | SSM6L12TU,LF |
| PNEDA 부품 번호 | SSM6L12TU-LF |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V 500MA UF6 |
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 6,246 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 6월 14 - 6월 19 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SSM6L12TU 리소스
| 브랜드 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SSM6L12TU,LF |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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SSM6L12TU 사양
| 제조업체 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 시리즈 | - |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 500mA (Ta) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 145mOhm @ 500mA, 4.5V, 260mOhm @ 250mA, 4V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 1.1V @ 100µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | - |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 245pF @ 10V, 218pF @ 10V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | 150°C |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-SMD, Flat Leads |
| 공급자 장치 패키지 | UF6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 5.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 40mOhm @ 5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 3V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 9nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 325pF @ 15V 전력-최대 2.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Microsemi Corporation 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 1000V (1kV) 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 43A Rds On (최대) @ Id, Vgs 210mOhm @ 21.5A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 5V @ 5mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 372nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 10400pF @ 25V 전력-최대 780W 작동 온도 -40°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Chassis Mount 패키지 / 케이스 SP4 공급자 장치 패키지 SP4 |
제조업체 ON Semiconductor 시리즈 - FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 450V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 700mA Rds On (최대) @ Id, Vgs 12.1Ohm @ 350mA, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 4.5V @ 1mA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 3.7nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 55pF @ 20V 전력-최대 1.6W 작동 온도 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SOIC |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 2 P-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 12V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.7A Rds On (최대) @ Id, Vgs 18mOhm @ 8.9A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1V @ 350µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 52nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.1W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 Automotive, AEC-Q101, TrenchFET® FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Standard 드레인-소스 전압 (Vdss) 40V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 20A (Tc), 60A (Tc) Rds On (최대) @ Id, Vgs 9.4mOhm @ 6A, 10V, 3.9mOhm @ 10A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.3V @ 250µA, 2.4V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 33nC, 75nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1700pF, 3900pF @ 25V 전력-최대 27W (Tc), 48W (Tc) 작동 온도 -55°C ~ 175°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 PowerPAK® SO-8 Dual 공급자 장치 패키지 PowerPAK® SO-8 Dual Asymmetric |
