SI1539DDL-T1-GE3
참조 용
| 부품 번호 | SI1539DDL-T1-GE3 |
| PNEDA 부품 번호 | SI1539DDL-T1-GE3 |
| 설명 | MOSFET N/P-CH 30V SC70-6 |
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 5,346 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 21 - 7월 26 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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SI1539DDL-T1-GE3 리소스
| 브랜드 | Vishay Siliconix |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | SI1539DDL-T1-GE3 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
| 데이터 시트 |
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SI1539DDL-T1-GE3 사양
| 제조업체 | Vishay Siliconix |
| 시리즈 | TrenchFET® |
| FET 유형 | N and P-Channel |
| FET 기능 | Standard |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 30V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 700mA (Tc), 460mA (Tc) |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 388mOhm @ 600mA, 10V, 1.07Ohm @ 400mA, 10V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 2.5V @ 250µA, 3V @ 250µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 1.1nC @ 4.5V, 1.2nC @ 4.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 28pF @ 15V, 21pF @ 15V |
| 전력-최대 | 340mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | SC-70-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 OptiMOS™ FET 유형 2 N-Channel (Dual) FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 30V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 15mOhm @ 20A, 10V Vgs (th) (최대) @ Id 2.2V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 13.2nC @ 10V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds 1100pF @ 15V 전력-최대 26W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-PowerVDFN 공급자 장치 패키지 PG-TDSON-8-4 |
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