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EFC6605R-V-TR

EFC6605R-V-TR

참조 용

부품 번호 EFC6605R-V-TR
PNEDA 부품 번호 EFC6605R-V-TR
설명 MOSFET N-CH DUAL 10A 24V 6XFLGA
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 6,174
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

EFC6605R-V-TR 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호EFC6605R-V-TR
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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EFC6605R-V-TR 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

13.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

815pF @ 25V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

SP8M70TB1

Rohm Semiconductor

제조업체

Rohm Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

250V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A, 2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.63Ohm @ 1.5A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

4V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.2nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

180pF @ 25V

전력-최대

650mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOP

FDS4897C

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

PowerTrench®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6.2A, 4.4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

29mOhm @ 6.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

20nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

760pF @ 20V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SOIC

DMNH6021SPDWQ-13

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

*

FET 유형

-

FET 기능

-

드레인-소스 전압 (Vdss)

-

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

-

작동 온도

-

장착 유형

-

패키지 / 케이스

-

공급자 장치 패키지

-

IRF7105QTRPBF

Infineon Technologies

제조업체

Infineon Technologies

시리즈

HEXFET®

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.5A, 2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

100mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

330pF @ 15V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

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