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DMNH6021SPDWQ-13

DMNH6021SPDWQ-13

참조 용

부품 번호 DMNH6021SPDWQ-13
PNEDA 부품 번호 DMNH6021SPDWQ-13
설명 MOSFET BVDSS: 41V-60V POWERDI506
제조업체 Diodes Incorporated
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMNH6021SPDWQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMNH6021SPDWQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMNH6021SPDWQ-13, DMNH6021SPDWQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 490.68 KB)
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  • DMNH6021SPDWQ-13 Price
  • DMNH6021SPDWQ-13 Distributor

DMNH6021SPDWQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈*
FET 유형-
FET 기능-
드레인-소스 전압 (Vdss)-
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)-
Rds On (최대) @ Id, Vgs-
Vgs (th) (최대) @ Id-
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs-
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대-
작동 온도-
장착 유형-
패키지 / 케이스-
공급자 장치 패키지-

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100mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

8Ohm @ 10mA, 4V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 1µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

12pF @ 3V

전력-최대

125mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

18mOhm @ 9A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

63nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2940pF @ 15V

전력-최대

2W

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Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

40V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

12A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

30mOhm @ 12A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

10.8nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

650pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

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드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

7.5A, 9.8A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

11mOhm @ 10A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

3V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

18nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

2370pF @ 15V

전력-최대

1.14W, 1.47W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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220mV @ 1µA

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