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DMNH6022SSDQ-13

DMNH6022SSDQ-13

참조 용

부품 번호 DMNH6022SSDQ-13
PNEDA 부품 번호 DMNH6022SSDQ-13
설명 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
제조업체 Diodes Incorporated
단가 견적 요청
재고 있음 8,928
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

DMNH6022SSDQ-13 리소스

브랜드 Diodes Incorporated
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호DMNH6022SSDQ-13
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
DMNH6022SSDQ-13, DMNH6022SSDQ-13 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 315.39 KB)
PDFDMNH6022SSDQ-13 데이터 시트 표지
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  • DMNH6022SSDQ-13 Distributor

DMNH6022SSDQ-13 사양

제조업체Diodes Incorporated
시리즈Automotive, AEC-Q101
FET 유형2 N-Channel (Dual)
FET 기능Standard
드레인-소스 전압 (Vdss)60V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)7.1A, 22.6A
Rds On (최대) @ Id, Vgs27mOhm @ 5A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id3V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs32nC @ 30V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds2127pF @ 25V
전력-최대1.5W
작동 온도-55°C ~ 175°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
공급자 장치 패키지8-SO

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Diodes Incorporated

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드레인-소스 전압 (Vdss)

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

-

Rds On (최대) @ Id, Vgs

-

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

-

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

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작동 온도

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패키지 / 케이스

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공급자 장치 패키지

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

220mA, 410mA

Rds On (최대) @ Id, Vgs

4Ohm @ 220mA, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

9.5pF @ 10V

전력-최대

300mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

SC-88 (SC-70-6)

SQJ956EP-T1_GE3

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제조업체

Vishay Siliconix

시리즈

Automotive, AEC-Q101, TrenchFET®

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Standard

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

23A (Tc)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26.7mOhm @ 5.2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

30nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1395pF @ 30V

전력-최대

34W

작동 온도

-55°C ~ 175°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® SO-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® SO-8 Dual

PHP225,118

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

-

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

250mOhm @ 1A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.8V @ 1mA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

25nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

250pF @ 20V

전력-최대

2W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTHD3102CT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A, 3.1A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

45mOhm @ 4.4A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

7.9nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

510pF @ 10V

전력-최대

1.1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

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