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FDMS3606S

FDMS3606S

참조 용

부품 번호 FDMS3606S
PNEDA 부품 번호 FDMS3606S
설명 MOSFET 2N-CH 30V 13A/27A PWR56
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 5,274
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 6월 13 - 6월 18 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

FDMS3606S 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호FDMS3606S
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이
데이터 시트
FDMS3606S, FDMS3606S 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 619.29 KB)
PDFFDMS3606S 데이터 시트 표지
FDMS3606S 데이터 시트 페이지 2 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 3 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 4 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 5 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 6 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 7 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 8 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 9 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 10 FDMS3606S 데이터 시트 페이지 11

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FDMS3606S 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈PowerTrench®
FET 유형2 N-Channel (Dual) Asymmetrical
FET 기능Logic Level Gate
드레인-소스 전압 (Vdss)30V
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)13A, 27A
Rds On (최대) @ Id, Vgs8mOhm @ 13A, 10V
Vgs (th) (최대) @ Id2.7V @ 250µA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs29nC @ 10V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds1785pF @ 15V
전력-최대1W
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스8-PowerTDFN
공급자 장치 패키지Power56

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate, 1.8V Drive

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

85mOhm @ 3A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

-

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

4nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

320pF @ 10V

전력-최대

1W

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SMD, Flat Lead

공급자 장치 패키지

8-EMH

ZXMN3A06DN8TC

Diodes Incorporated

제조업체

Diodes Incorporated

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

35mOhm @ 9A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA (Min)

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17.5nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

796pF @ 25V

전력-최대

1.8W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

NTLJD4116NT1G

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.5A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

70mOhm @ 2A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

6.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

427pF @ 15V

전력-최대

710mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-WDFN Exposed Pad

공급자 장치 패키지

6-WDFN (2x2)

2N7002PSZ

Nexperia

제조업체

Nexperia USA Inc.

시리즈

Automotive, AEC-Q101

FET 유형

2 N-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

60V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

320mA (Ta)

Rds On (최대) @ Id, Vgs

1.6Ohm @ 500mA, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.4V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

0.8nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

50pF @ 10V

전력-최대

280mW

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

6-TSSOP, SC-88, SOT-363

공급자 장치 패키지

6-TSSOP

STS4DPF20L

STMicroelectronics

제조업체

STMicroelectronics

시리즈

STripFET™

FET 유형

2 P-Channel (Dual)

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

4A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

80mOhm @ 2A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1350pF @ 25V

전력-최대

1.6W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)

공급자 장치 패키지

8-SO

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