BSD840N L6327
참조 용
| 부품 번호 | BSD840N L6327 |
| PNEDA 부품 번호 | BSD840N-L6327 |
| 설명 | MOSFET 2N-CH 20V 0.88A SOT363 |
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 2,070 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 16 - 7월 21 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BSD840N L6327 리소스
| 브랜드 | Infineon Technologies |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BSD840N L6327 |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-어레이 |
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BSD840N L6327 사양
| 제조업체 | Infineon Technologies |
| 시리즈 | OptiMOS™ |
| FET 유형 | 2 N-Channel (Dual) |
| FET 기능 | Logic Level Gate |
| 드레인-소스 전압 (Vdss) | 20V |
| 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) | 880mA |
| Rds On (최대) @ Id, Vgs | 400mOhm @ 880mA, 2.5V |
| Vgs (th) (최대) @ Id | 750mV @ 1.6µA |
| 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs | 0.26nC @ 2.5V |
| 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds | 78pF @ 10V |
| 전력-최대 | 500mW |
| 작동 온도 | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| 장착 유형 | Surface Mount |
| 패키지 / 케이스 | 6-VSSOP, SC-88, SOT-363 |
| 공급자 장치 패키지 | PG-SOT363-6 |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Vishay Siliconix 시리즈 TrenchFET® FET 유형 N and P-Channel, Common Drain FET 기능 Logic Level Gate 드레인-소스 전압 (Vdss) 20V 전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id) 6.6A, 3.8A Rds On (최대) @ Id, Vgs 20mOhm @ 9.1A, 4.5V Vgs (th) (최대) @ Id 1.5V @ 250µA 게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs 17nC @ 4.5V 입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds - 전력-최대 1.3W 작동 온도 -55°C ~ 150°C (TJ) 장착 유형 Surface Mount 패키지 / 케이스 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) 공급자 장치 패키지 8-SO |
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