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CAS325M12HM2

CAS325M12HM2

참조 용

부품 번호 CAS325M12HM2
PNEDA 부품 번호 CAS325M12HM2
설명 MOSFET 2N-CH 1200V 444A MODULE
제조업체 Cree/Wolfspeed
단가 견적 요청
재고 있음 7,002
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 15 - 7월 20 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

CAS325M12HM2 리소스

브랜드 Cree/Wolfspeed
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호CAS325M12HM2
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-어레이

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CAS325M12HM2 사양

제조업체Cree/Wolfspeed
시리즈Z-REC™
FET 유형2 N-Channel (Half Bridge)
FET 기능Silicon Carbide (SiC)
드레인-소스 전압 (Vdss)1200V (1.2kV)
전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)444A (Tc)
Rds On (최대) @ Id, Vgs4.3mOhm @ 400A, 20V
Vgs (th) (최대) @ Id4V @ 105mA
게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs1127nC @ 20V
입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds-
전력-최대3000W
작동 온도175°C (TJ)
장착 유형-
패키지 / 케이스Module
공급자 장치 패키지Module

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전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

3.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

51mOhm @ 3.7A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.2V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

17nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1090pF @ 15V

전력-최대

1W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width)

공급자 장치 패키지

8-TSSOP

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ON Semiconductor

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FET 유형

N and P-Channel

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

30V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

2.6A, 1.9A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

90mOhm @ 2.6A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

1.5V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

5.5nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

295pF @ 15V

전력-최대

900mW

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6

공급자 장치 패키지

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SI7900AEDN-T1-GE3

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Vishay Siliconix

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Common Drain

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

20V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

6A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

26mOhm @ 8.5A, 4.5V

Vgs (th) (최대) @ Id

900mV @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

16nC @ 4.5V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

-

전력-최대

1.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

PowerPAK® 1212-8 Dual

공급자 장치 패키지

PowerPAK® 1212-8 Dual

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ON Semiconductor

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FET 유형

2 N-Channel (Dual) Asymmetrical

FET 기능

Logic Level Gate

드레인-소스 전압 (Vdss)

25V

전류-25 ° C에서 연속 드레인 (Id)

15A, 30A

Rds On (최대) @ Id, Vgs

5.6mOhm @ 15A, 10V

Vgs (th) (최대) @ Id

2.7V @ 250µA

게이트 충전 (Qg) (최대) @ Vgs

27nC @ 10V

입력 커패시턴스 (Ciss) (최대) @ Vds

1770pF @ 13V

전력-최대

2.2W, 2.5W

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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