BLP10H660PGY
참조 용
| 부품 번호 | BLP10H660PGY |
| PNEDA 부품 번호 | BLP10H660PGY |
| 설명 | RF MOSFET LDMOS 50V 4-HSOP |
| 제조업체 | Ampleon |
| 단가 | 견적 요청 |
| 재고 있음 | 7,398 |
| 창고 | Shipped from Hong Kong SAR |
| 예상 배송 | 7월 25 - 7월 30 (신속 배송 선택) |
| Guarantee | 최대 1 년 [PNEDA- 보증] * |
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BLP10H660PGY 리소스
| 브랜드 | Ampleon |
| ECAD Module |
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| Mfr. 부품 번호 | BLP10H660PGY |
| 분류 | 반도체 › 트랜지스터 › 트랜지스터-FET, MOSFET-RF |
| 데이터 시트 |
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BLP10H660PGY 사양
| 제조업체 | Ampleon USA Inc. |
| 시리즈 | - |
| 트랜지스터 유형 | LDMOS |
| 주파수 | 1GHz |
| 이득 | 18dB |
| 전압-테스트 | 50V |
| 전류 정격 (Amps) | 1.4µA |
| 소음 수치 | - |
| 현재-테스트 | 40mA |
| 전원-출력 | 60W |
| 전압-정격 | 110V |
| 패키지 / 케이스 | SOT-1224-2 |
| 공급자 장치 패키지 | 4-HSOPF |
관심을 가질만한 제품
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제조업체 Infineon Technologies 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 2.68GHz 이득 14dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 10µA 소음 수치 - 현재-테스트 900mA 전원-출력 85W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 2-Flatpack, Fin Leads, Flanged 공급자 장치 패키지 H-30248-2 |
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제조업체 Ampleon USA Inc. 시리즈 - 트랜지스터 유형 LDMOS 주파수 1.805GHz ~ 2.17GHz 이득 26dB 전압-테스트 28V 전류 정격 (Amps) 1.4µA 소음 수치 - 현재-테스트 104mA 전원-출력 5W 전압-정격 65V 패키지 / 케이스 SOT-1212-3 공급자 장치 패키지 16-HSOP |
