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BLF888AS,112

BLF888AS,112

참조 용

부품 번호 BLF888AS,112
PNEDA 부품 번호 BLF888AS-112
설명 RF FET LDMOS 110V 21DB SOT539B
제조업체 Ampleon
단가
1 ---------- $1,008.3037
50 ---------- $961.0395
100 ---------- $913.7753
200 ---------- $866.5110
400 ---------- $827.1242
500 ---------- $787.7373
재고 있음 4
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BLF888AS 리소스

브랜드 Ampleon
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BLF888AS,112
분류반도체트랜지스터트랜지스터-FET, MOSFET-RF
데이터 시트
BLF888AS, BLF888AS 데이터 시트 (총 페이지: 17, 크기: 1,532.04 KB)
PDFBLF888AS 데이터 시트 표지
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  • BLF888AS,112 Distributor

BLF888AS 사양

제조업체Ampleon USA Inc.
시리즈-
트랜지스터 유형LDMOS (Dual), Common Source
주파수860MHz
이득21dB
전압-테스트50V
전류 정격 (Amps)-
소음 수치-
현재-테스트1.3A
전원-출력250W
전압-정격110V
패키지 / 케이스SOT539B
공급자 장치 패키지SOT539B

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제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

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주파수

800MHz

이득

-

전압-테스트

9V

전류 정격 (Amps)

30mA

소음 수치

2dB

현재-테스트

10mA

전원-출력

-

전압-정격

14V

패키지 / 케이스

SOT-143R

공급자 장치 패키지

SOT-143R

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

LDMOS

주파수

2.45GHz

이득

27.7dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

55mA

전원-출력

25W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

TO-272-16 Variant, Flat Leads

공급자 장치 패키지

TO-272 WB-16

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

960MHz

이득

16.8dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

750mA

전원-출력

63W

전압-정격

70V

패키지 / 케이스

NI-780-4

공급자 장치 패키지

NI-780-4

MRF175LU

M/A-Com Technology Solutions

제조업체

M/A-Com Technology Solutions

시리즈

-

트랜지스터 유형

N-Channel

주파수

400MHz

이득

10dB

전압-테스트

28V

전류 정격 (Amps)

13A

소음 수치

-

현재-테스트

100mA

전원-출력

100W

전압-정격

65V

패키지 / 케이스

333-04

공급자 장치 패키지

333-04, Style 2

제조업체

NXP USA Inc.

시리즈

-

트랜지스터 유형

pHEMT FET

주파수

3.55GHz

이득

9dB

전압-테스트

6V

전류 정격 (Amps)

-

소음 수치

-

현재-테스트

180mA

전원-출력

3W

전압-정격

8V

패키지 / 케이스

PLD-1.5

공급자 장치 패키지

PLD-1.5

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