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BFP640FH6327XTSA1

BFP640FH6327XTSA1

참조 용

부품 번호 BFP640FH6327XTSA1
PNEDA 부품 번호 BFP640FH6327XTSA1
설명 RF TRANS NPN 4.5V 40GHZ 4TSFP
제조업체 Infineon Technologies
단가 견적 요청
재고 있음 4,122
창고 Shipped from Hong Kong SAR
예상 배송 7월 11 - 7월 16 (신속 배송 선택)
Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

BFP640FH6327XTSA1 리소스

브랜드 Infineon Technologies
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호BFP640FH6327XTSA1
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF

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  • BFP640FH6327XTSA1 Distributor

BFP640FH6327XTSA1 사양

제조업체Infineon Technologies
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)4.5V
주파수-전환40GHz
노이즈 지수 (dB Typ @ f)0.65dB ~ 1.2dB @ 1.8GHz ~ 6GHz
이득23dB
전력-최대200mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce110 @ 30mA, 3V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도150°C (TJ)
장착 유형Surface Mount
패키지 / 케이스4-SMD, Flat Leads
공급자 장치 패키지4-TSFP

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전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

9dB

전력-최대

87.5W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

-

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.6A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

M115

공급자 장치 패키지

M115

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Microsemi

제조업체

Microsemi Corporation

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

65V

주파수-전환

1.025GHz ~ 1.15GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

-

이득

10dB ~ 10.5dB

전력-최대

125W

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 100mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

2.5A

작동 온도

200°C (TJ)

장착 유형

Chassis Mount

패키지 / 케이스

55FW-1

공급자 장치 패키지

55FW-1

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

800MHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 200MHz

이득

24dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

25 @ 5mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

-

작동 온도

-

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

공급자 장치 패키지

TO-92-3

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

PNP

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

12V

주파수-전환

5.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

2dB @ 1GHz

이득

10dB

전력-최대

200mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

20 @ 15mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

공급자 장치 패키지

SOT-23

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ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

15V

주파수-전환

-

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

6dB @ 60MHz

이득

15dB

전력-최대

350mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 8mA, 10V

전류-수집기 (Ic) (최대)

50mA

작동 온도

-55°C ~ 150°C (TJ)

장착 유형

Through Hole

패키지 / 케이스

TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)

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