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2N5770

2N5770

참조 용

부품 번호 2N5770
PNEDA 부품 번호 2N5770_6B
설명 RF TRANS NPN 15V TO92-3
제조업체 ON Semiconductor
단가 견적 요청
재고 있음 7,902
창고 Shipped from Hong Kong SAR
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Guarantee 최대 1 년 [PNEDA- 보증] *

2N5770 리소스

브랜드 ON Semiconductor
ECAD Module ECAD
Mfr. 부품 번호2N5770
분류반도체트랜지스터트랜지스터-양극 (BJT)-RF
데이터 시트
2N5770, 2N5770 데이터 시트 (총 페이지: 7, 크기: 295.86 KB)
PDF2N5770_D74Z 데이터 시트 표지
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2N5770 사양

제조업체ON Semiconductor
시리즈-
트랜지스터 유형NPN
전압-수집기 이미 터 고장 (최대)15V
주파수-전환-
노이즈 지수 (dB Typ @ f)6dB @ 60MHz
이득15dB
전력-최대350mW
DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce50 @ 8mA, 10V
전류-수집기 (Ic) (최대)50mA
작동 온도-55°C ~ 150°C (TJ)
장착 유형Through Hole
패키지 / 케이스TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
공급자 장치 패키지TO-92-3

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DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 5mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

100mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

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전류-수집기 (Ic) (최대)

35mA

작동 온도

150°C (TJ)

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Infineon Technologies

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트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

5V

주파수-전환

30GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

0.9dB ~ 1.4dB @ 1.8GHz

이득

20dB

전력-최대

250mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

50 @ 20mA, 3.5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

80mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

4-SMD, Flat Leads

공급자 장치 패키지

4-TSFP

15GN03MA-TL-E

ON Semiconductor

제조업체

ON Semiconductor

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

10V

주파수-전환

1.5GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.6dB @ 0.4GHz

이득

13dB @ 0.4GHz

전력-최대

400mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

100 @ 10mA, 5V

전류-수집기 (Ic) (최대)

70mA

작동 온도

150°C (TJ)

장착 유형

Surface Mount

패키지 / 케이스

SC-70, SOT-323

공급자 장치 패키지

3-MCP

제조업체

CEL

시리즈

-

트랜지스터 유형

NPN

전압-수집기 이미 터 고장 (최대)

3V

주파수-전환

12GHz

노이즈 지수 (dB Typ @ f)

1.5dB ~ 2dB @ 2GHz

이득

-

전력-최대

90mW

DC 전류 이득 (hFE) (최소) @ Ic, Vce

70 @ 10mA, 1V

전류-수집기 (Ic) (최대)

30mA

작동 온도

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